1
) 导联 保留 在 环境 温度 在 一个 距离 的 3 mm 从 案例
anschlußdrähte 入点 3 mm abstand 冯 gehäuse auf umgebungstemperatur gehalten
354
28.02.2002
dan 208 / dap 208 (1.2 w)
硅-双胞胎 二极管 silizium-doppeldioden
中心 轻敲 Mittelpunktschaltung
标称值 电源 耗散 1.2 w
nenn-verlustleistung
重复性 峰值 反向 电压 150 v
periodische spitzensperrspannung
3 管脚-塑料 案例 8.5 x 3.5 x 6.6 [mm]
3 管脚-kunststoffgehäuse
重量 约. – gewicht ca. 0.6 g
尺寸 / maße 入点 mm
标准 包装: 散装 请参见 第页 22
标准 lieferform: 输 即时消息 karton s. seite 22
"dap": 普通 阳极 / gemeinsame anoden "dan": 普通 阴极 / gemeinsame kathoden
最大值 额定值 Grenzwerte
类型
典型值
重复性 峰值 反向 电压
periodische spitzensperrspannung
v
rrm
[V]
浪涌 峰值 反向 电压
Stoßspitzensperrspannung
v
RSM
[V]
dan 208 100 150
dap 208 100 150
最大值 平均值 前进 已纠正 电流, 右-荷载, t
一个
= 25
c
用于 一个 二极管 操作 仅 我
FAV
1.0 一个
1
)
用于 同时 操作 我
FAV
2.0 一个
1
)
dauergrenzstrom 入点 einwegschaltung 麻省理工学院 右-最后一个, t
U
= 25
c
für eine einzelne 二极管 我
FAV
1.0 一个
1
)
北 gleichzeitigem betrieb 我
FAV
2.0 一个
1
)
峰值 前进 浪涌 电流, 50 赫兹 一半 正弦波 t
一个
= 25
ci
FSM
10 一个
stoßstrom für eine 50 赫兹 sinus-halbwelle
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