de150-102n02a
rf 电源 场效应晶体管
directed 活力, 公司
一个
IXYS
公司
初步的 数据 薄板
V
DSS
= 1000 v
I
D25
= 1.5 一个
R
ds(在)
=
11
Ω
ΩΩ
Ω
P
DHS
= 80W
标识 测试 情况 最大 比率
V
DSS
T
J
= 25°c 至 150°c
1000 v
V
DGR
T
J
= 25°c 至 150°c; r
GS
= 1 m
Ω
1000 v
V
GS
持续的
±20 v
V
GSM
瞬时
±30 v
I
D25
T
c
= 25°c
1.5 一个
I
DM
T
c
= 25°c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
9 一个
I
AR
T
c
= 25°c
1.5 一个
E
AR
T
c
= 25°c
6 mj
I
S
≤
I
DM
, di/dt
≤
100a/
µ
s, v
DD
≤
V
DSS
,
T
j
≤
150°c, r
G
= 0.2
Ω
3 v/ns
I
S
= 0
>200 v/ns
P
DHS
T
c
= 25°c
减额 4.4w/°c 在之上 25°c
80 w
P
DAMB
T
c
= 25°c
3.5 w
T
J
-55…+150 °c
T
JM
150 °c
T
stg
-55…+150 °c
T
L
1.6mm (0.063 在) 从 情况 为 10 s
300 °c
重量
2 g
dv/dt
标识 测试 情况
典型的 值
T
J
= 25°c 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 3 毫安
1000 v
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 4 毫安
2.5 4.5 v
I
GSS
V
GS
= ±20 v
直流
, v
DS
= 0
±100 na
I
DSS
V
DS
= 0.8 v
DSS
T
J
= 25°c
V
GS
= 0 t
J
= 125°c
50
500
µ
一个
µ
一个
R
ds(在)
11
Ω
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 0.5i
D25
, 脉冲波 测试
0.8 1.5 S
V
GS
= 15 v, i
D
= 0.5i
D25
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2%
特性
•
分开的 基质
−
高 分开 电压 (>2500v)
−
极好的 热的 转移
−
增加 温度 和 电源
cycling 能力
•
ixys 先进的 低 q
g
处理
•
低 门 承担 和 capacitances
−
easier 至 驱动
−
faster 切换
•
低 r
ds(在)
•
非常 低 嵌入 电感 (<2nh)
•
非 beryllium oxide (beo) 或者 其它
hazardous 材料
有利因素
•
优化 为 rf 和 高 速
切换 在 发生率 至 >100mhz
•
容易 至 mount—no insulators 需要
•
高 电源 密度
n-频道 增强 模式
avalanche 评估
低 q
g
和 r
g
高 dv/dt
nanosecond 切换
流
SG1 SG2
门
SD1 SD2
: 点此下载
