半导体 组件 行业, llc, 2005
8月, 2005 − rev. 13
1
出版物 订单 号码:
mc74vhc1g126/d
MC74VHC1G126
非反相 3−state 缓冲区
这 mc74vhc1g126 是 一个 高级 高 速度 cmos
非反相 3−state 缓冲区 预制 与 硅 闸门 cmos
技术. 它 达到 高 速度 操作 类似 至 等效
双极性 肖特基 ttl 同时 维护 cmos 低 电源
耗散.
这 内部 电路 是 组成 的 三个 阶段, 包括 一个 buffered
3−state 输出 哪个 提供 高 噪声 免疫 和 稳定 输出.
这 mc74vhc1g126 输入 结构 提供 保护 当
电压 向上 至7.0 v 是 已应用, 无论如何的 这 供应 电压. 这个
允许 这 mc74vhc1g126 至 是 已使用 至 接口 5.0 v 电路 至
3.0 v 电路.
特点
•
高 速度: t
pd
= 3.5 ns (典型值) 在 v
抄送
= 5.0 v
•
低 电源 耗散: 我
抄送
= 1
一个 (最大值) 在 t
一个
= 25
°
c
•
电源 向下 保护 提供 开启 输入
•
平衡式 传播 延误
•
管脚 和 功能 兼容 与 其他 标准 逻辑 家庭
•
芯片 复杂性: fets = 58; 等效
盖茨 = 15
•
pb−free 软件包 是 可用
图 1. 引出线
(顶部 查看)
v
抄送
oe
入点 一个
出点 y
地
入点 一个
出点 y
en
oe
图 2. 逻辑 符号
1
2
3
5
4
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这
包装尺寸 截面 开启 第页 4 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
功能 表
l
h
x
一个 输入 y 输出
l
h
z
oe 输入
h
h
l
管脚 分配
1
2
3 地
oe
入点 一个
4
5V
抄送
出点 y
http://onsemi.com
sc−88a/sot−353/sc−70
df 后缀
案例 419a
tsop−5/sot−23/sc−59
dt 后缀
案例 483
标记
图表
1
5
1
5
1
5
w2 ayw
w2 m
W2 = 设备 代码
m = 日期 code*
一个 = 总成 位置
y = 年份
w = 工作 周
= pb−free 包装
(备注: microdot 将 是 入点 要么 位置)
*date 代码 方向 和/或 位置 may
变化 取决于 在 制造业 位置.
1
5
m
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