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注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 electrostatic 放电; 跟着 适当的 集成电路 搬运 程序.
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hip6601a, hip6603a, hip6604
同步 已纠正 降压 场效应晶体管
驱动程序
这 hip6601a, hip6603a 和 hip6604 是 高 频率,
双 场效应晶体管 驱动程序 具体而言 设计 至 驱动器 两个
电源 n通道 mosfets 入点 一个 同步 已纠正 降压
变频器 拓扑. 这些 驱动程序 合并 与 一个 hip63xx
或 一个 isl65xx 多相 降压 pwm 控制器 窗体 一个
完成 核心-电压 调节器 解决方案 用于 高级
微处理器.
这 hip6601a 驱动器 这 下部 闸门 入点 一个 同步
整流器 至 12v, 同时 这 上部 闸门 可以 是 独立
驱动 结束 一个 范围 从 5v 至 12v. 这 hip6603a 驱动器
两者都有 上部 和 下部 盖茨 结束 一个 范围 的 5v 至 12v. 这个
驱动器-电压 灵活性 提供es 这 优势 的 优化
应用程序 涉及 权衡 之间 开关 损失
和 传导 损失. 这 hip6604 可以 是 已配置 作为
要么 一个 hip6601a 或 一个 hip6603a.
这 输出 驱动程序 入点 这 hip6601a, hip6603a 和 hip6604
有 这 容量 至 高效ly 开关 电源 mosfets 在
频率 向上 至 2mhz. 每个 驾驶员 是 有能力 的 驾驶 一个
3000pf 荷载 与 一个 30ns 传播 延迟 和 50ns
过渡 时间. 这些 产品 实施 引导 开启
这 上部 闸门 与 仅 一个 external 电容器 必填项. 这个
减少 实施 complexity 和 允许 这 使用 的
较高 业绩, 成本 有效, n通道 mosfets.
自适应 射穿 保护 是 综合 至 防止
两者都有 mosfets 从 传导 同时.
特点
• 驱动器 两个 n通道 mosfets
• 自适应 射穿 保护
• 内部 引导程序 设备
• 支架 高 开关 频率
- 快 输出 上升 时间
- 传播 延迟 30ns
• 小 8 铅 soic 和epsoic 和 16 铅 qfn
软件包
• 双 栅极驱动 电压用于 最优 效率
• 三态 输入 用于 输出 舞台 停机
• 供应 下 电压 保护
应用程序
• 核心 电压 供应品 用于 入点电话 pentium® 三, amd®
athlon™ 微处理器
• 高 频率 低 配置文件 直流-直流 转换器
• 高 电流 低 电压 直流-直流 转换器
相关 文学
• 技术类 简介 tb363 “guidelines 用于 搬运 和
加工 水分 sensit艾维 表面 安装 设备
(smds)”
引出线
hip6601acb, hip6603acb (soic)
hip6601ecb, hip6603ecb (epsoic)
顶部 查看
hip6604 (qfn)
顶部 查看
订购 信息
零件 号码
温度 范围
(
o
c) 包装
pkg.
dwg. #
HIP6601ACB 0 至 85 8 ld soic m8.15
HIP6603ACB 0 至 85 8 ld soic m8.15
hip6601acb-t 8 ld soic 胶带 和 卷轴
hip6603acb-t 8 ld soic 胶带 和 卷轴
HIP6601ECB 0 至 85 8 ld epsoic m8.15b
HIP6603ECB 0 至 85 8 ld epsoic m8.15b
hip6601ecb-t 8 ld epsoic 胶带 和 卷轴
hip6603ecb-t 8 ld epsoic 胶带 和 卷轴
HIP6604CR 0 至 85
16 ld 4x4 qfn
l16.4x4
hip6604cr-t 16 ld 4x4 qfn 胶带 和 卷轴
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数据 工作表 8月 2004
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洛杉矶
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