K6R1008V1D
cmos sram
初步的
修订 1.0
- 1 -
12月 2001
初步的
为 在&放大;t
文档 标题
64kx16 位 高-速 cmos 静态的 内存(3.3v 运行)
运作 在 商业的 和 工业的 温度 范围.
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Remark
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最终
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最初的 文档.
速 bin modify
电流 modify
1. delete 12ns 速 bin.
2. 改变 icc 为 工业的 模式.
Item Previous 电流
Icc(工业的)
8ns 100mA 90mA
10ns 85mA 75mA
draft 数据
将. 11. 2001
六月. 18. 2001
九月. 9. 2001
12月. 18. 2001
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