初步的
rev. 3.0
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july 2004
初步的
K6R1004V1D
cmos sram
为 在&放大;t
文档 标题
64kx16 位 高-速 cmos 静态的 内存(3.3v 运行)
运作 在 商业的 和 工业的 温度 范围.
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规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 your requests 和 questions 在 这 参数 的 这个 设备. 如果你 有 任何 ques-
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Remark
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History
最初的 文档.
速 bin modify
电流 modify
1. 最终 数据手册 释放
2. delete 12ns 速 bin.
3. 改变 icc 为 工业的 模式.
1. delete ub
,lbreleated 定时 图解.
1. 增加 这 含铅的 自由 包装 类型.
Item Previous 电流
I
cc(工业的)
8ns 100mA 90mA
10ns 85mA 75mA
draft 数据
将. 11. 2001
六月. 18. 2001
九月. 9. 2001
12月. 18. 2001
六月. 19. 2002
july. 26, 2004
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