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资料编号:268435
 
资料名称:DSEK60-02
 
文件大小: 56.97K
   
说明
 
介绍:
Common Cathode Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号DSEK60-02的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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1 - 2
v
RSM
v
rrm
类型
v v
200 200 dsek 60-02a
200 200 dsek 60-02ar
符号 测试一下 条件 最大值 额定值 按 支腿
FRMS
t
vj
= t
VJM
50 一个
FAVM
ÿÿ
t
c
= 115
c; 矩形, d = 0.5 34 一个
FRM
t
p
&指示灯; 10
s; 代表. 评级, 脉冲 宽度 有限 由 t
VJM
375 一个
FSM
t
vj
c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 325 一个
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 350 一个
t
vj
= 150
c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 290 一个
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 310 一个
2
t
t
vj
c t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 530 一个
2
s
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 510 一个
2
s
t
vj
= 150
c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 420 一个
2
s
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 400 一个
2
s
t
vj
-40...+150
c
t
VJM
150
c
t
stg
-40...+150
c
p
tot
t
c
c 125 w
m
d
*
安装 扭矩 0.8...1.2 nm
f
c
安装 力 与 夹子 20...120 n
v
isol
**
50/60 赫兹, rms, t = 1 分钟, leads-to-tab 2500 V~
重量
6g
* verson 一个 仅; ** 版本 ar 仅
符号 测试一下 条件 特性 数值 按 支腿
典型值 最大值
t
vj
CV
= v
rrm
200
一个
t
vj
CV
= 0.8 • v
rrm
50
一个
t
vj
= 125
CV
= 0.8 • v
rrm
5mA
v
f
f
= 30 一个; t
vj
= 150
c 0.85 v
t
vj
=25
c 1.10 v
v
T0
用于 电源-损失 计算 仅 0.72 v
t
t
vj
= t
VJM
4.2 m
thjc
1 k/w
thCH
0.25 k/w
t
rr
f
= 1 一个; -di/dt = 100 一个/
s; v
= 30 v; t
vj
= 25
C3550ns
rm
v
= 100 v;
f
= 30 一个; -di
f
/dt = 100 一个/
s45A
l

0.05
h; t
vj
c
dsek 60
FAVm
= 2x 34 一个
v
rrm
= 200 v
t
rr
= 35 ns
FAVM
评级 包括 反向 阻塞 损失 在 t
VJM
, v
= 0.8 v
rrm
, 职责 循环 d = 0.5
数据 根据 至 iec 60747 参考 至 一个 单独 二极管 除非 否则 声明.
ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件 和 尺寸
特点
国际 标准 包装
电子元件工业联合会 至-247 广告
平面 钝化 芯片
很 短 回收 时间
极其 低 开关 损失
低 我
rm
-数值
软 回收 行为
环氧树脂 满足 ul 94v-0
版本 ar 隔离 和
ul 已注册 e153432
应用程序
整流器 入点 开关 模式 电源
供应品 (smps)
不间断 电源 供应品 (ups)
超声波 cleaners 和 welders
优点
高 可靠性 电路 操作
低 电压 峰 用于 减少
保护 电路
低 噪声 开关
低 损失
操作 在 下部 温度 或
空间 正在保存 由 减少 冷却
普通 阴极
快 回收
外延 二极管 (fred)
一个 = 阳极, c = 阴极
至-247 广告 isoplus 247
tm
版本 一个 版本 ar
一个
一个
c (选项卡)
c
一个
一个
c
一个c一个
036
隔离
背面 表面 *
*
专利 待定
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