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1 - 2
dsep 9-06cr
我
FAV
=9 一个
v
rrm
= 600 v
t
rr
= 15 ns
v
RSM
v
rrm
类型
v v
600 600 dsep 9-06cr
符号 条件 最大值 额定值
我
FRMS
50 一个
我
FAVM
t
c
= 140°c; 矩形, d = 0.5 9 一个
我
FRM
t
p
&指示灯; 10 µs; 代表. 评级, 脉冲 宽度 有限 由 t
VJM
tbd 一个
我
FSM
t
vj
= 45°c; t
p
= 10 ms (50 赫兹), 正弦 80 一个
e?
作为
t
vj
= 25°c; 非重复性 0.5 mJ
我
作为
= 2 一个; l = 180 µh
我
ar
v
一个
= 1.5
·
v
右
典型值.; f = 10 khz; 重复性 0.2 一个
t
vj
-55...+175 °C
t
VJM
175 °C
t
stg
-55...+150 °C
p
tot
t
c
= 25°c 150 w
v
isol
50/60 赫兹 rms; 我
isol
≤
1 ma 2500 V~
f
c
安装 力与 夹子 20...120 n
重量
典型 6 g
符号 条件 特性 数值
典型值 最大值
我
右
①
t
vj
= 25°c v
右
= v
rrm
50 µA
t
vj
= 150°c v
右
= v
rrm
0.2 ma
v
f
②
我
f
= 9 一个; t
vj
= 150°c 2.9 v
t
vj
= 25°c 4.0 v
右
thjc
1 k/w
右
thCH
0.25 k/w
t
rr
我
f
= 1 一个; -di/dt = 200 一个/µs; 15 ns
v
右
= 30 v; t
vj
= 25°c
我
rm
v
右
= 100 v; 我
f
= 10 一个; -di
f
/dt = 100 一个/µs 3.5 4.1 一个
t
vj
= 100°c
HiPerDynFRED
tm
外延 二极管
与 软 回收
(电气 隔离 背面 表面)
一个 = 阳极, c = 阴极
* 专利 待定
isoplus 247
tm
一个
c
隔离 背面 表面 *
c
一个
脉冲 测试一下:
①
脉冲 宽度 = 5 ms, 职责 循环 &指示灯; 2.0 %
②
脉冲 宽度 = 300 µs, 职责 循环 &指示灯; 2.0 %
数据 根据 至 iec 60747 和 按 二极管 除非 否则 指定
ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件 和 尺寸.
特点
• 硅 芯片 开启 直接-铜-债券
基材
- 高 电源 耗散
- 隔离 安装 表面
- 2500v 电气 隔离
• 低 阴极 至 选项卡 电容 (&指示灯;
25
pf)
• 国际 标准 包装
• 平面 钝化 芯片
• 很 短 回收 时间
• 极其 低 开关 损失
• 低 我
rm
-数值
• 软 回收 行为
• 环氧树脂 满足 ul 94v-0
• 隔离 和 ul 已注册 e153432
应用程序
• 反平行 二极管 用于 高 频率
开关 设备
• antisaturation 二极管
• 缓冲器 二极管
• 免费 轮转 二极管 入点 转换器
和 电机 控制 电路
• 整流器 入点 开关 模式 电源
供应品 (smps)
• 归纳 加热
• 不间断 电源 供应品 (ups)
• 超声波 cleaners 和 welders
优点
• 雪崩 电压 额定 用于 可靠
操作
• 软 反向 回收 用于 低 emi/rfi
• 低 我
rm
减少:
- 电源 耗散 内 这 二极管
- 打开 损失 入点 这 换向 开关
尺寸 请参见 概述.pdf
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