HiPerDynFRED
tm
外延 二极管
与 软 回收
(电气 隔离 背面 表面)
脉冲 测试一下:
①
脉冲 宽度 = 5 ms, 职责 循环 &指示灯; 2.0 %
②
脉冲 宽度 = 300 µs, 职责 循环 &指示灯; 2.0 %
数据 根据 至 iec 60747 和 按 二极管 除非 否则 指定
ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件 和 尺寸.
特点
●
硅 芯片 开启 直接-铜-债券
基材
- 高 电源 耗散
- 隔离 安装 表面
- 2500v 电气 隔离
●
低 阴极 至 选项卡 电容 (&指示灯;25pf)
●
国际 标准 包装
●
平面 钝化 芯片
●
很 短 回收 时间
●
极其 低 开关 损失
●
低 我
rm
-数值
●
软 回收 行为
●
环氧树脂 满足 ul 94v-0
●
隔离 和 ul 已注册 e153432
应用程序
●
反平行 二极管 用于 高 频率
开关 设备
●
antisaturation 二极管
●
缓冲器 二极管
●
免费 轮转 二极管 入点 转换器
和 电机 控制 电路
●
整流器 入点 开关 模式 电源
供应品 (smps)
●
归纳 加热
●
不间断 电源 供应品 (ups)
●
超声波 cleaners 和 welders
优点
●
雪崩 电压 额定 用于 可靠
操作
●
软 反向 回收 用于 低 emi/rfi
●
低 我
rm
减少:
- 电源 耗散 内 这 二极管
- 打开 损失 入点 这 换向
开关
尺寸 请参见 概述.pdf
一个 = 阳极, c = 阴极
* 专利 待定
isoplus 247
tm
一个
c
隔离 背面 表面 *
c
一个
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1 - 1
dsep 15-12cr
我
FAV
= 15 一个
v
rrm
= 1200 v
t
rr
= 20 ns
v
RSM
v
rrm
类型
v v
1200 1200 dsep 15-12cr
018
符号 条件 最大值 额定值
我
FRMS
50 一个
我
FAVM
t
c
= 130°c; 矩形, d = 0.5 15 一个
我
FRM
t
p
&指示灯; 10 µs; 代表. 评级, 脉冲 宽度 有限 由 t
VJM
tbd 一个
我
FSM
t
vj
= 45°c; t
p
= 10 ms (50 赫兹), 正弦 110 一个
e?
作为
t
vj
= 25°c; 非重复性 0.1 mJ
我
作为
= 1.0 一个; l = 180 µh
我
ar
v
一个
= 1.25
·
v
右
典型值.; f = 10 khz; 重复性 0.1 一个
t
vj
-55...+175 °C
t
VJM
175 °C
t
stg
-55...+150 °C
p
tot
t
c
= 25°c 150 w
v
isol
50/60 赫兹 rms; 我
isol
1 ma 2500 V~
f
c
安装 力 与 夹子 20...120 n
重量
典型 6 g
符号 条件 特性 数值
典型值 最大值
我
右
①
t
vj
= 25°c v
右
= v
rrm
100 µA
t
vj
= 150°c v
右
= v
rrm
0.5 ma
v
f
②
我
f
= 15 一个; t
vj
= 150°c 2.67 v
t
vj
= 25°c 4.04 v
右
thjc
1 k/w
右
thCH
与 散热器 化合物 0.25 k/w
t
rr
我
f
= 1 一个; -di/dt = 200 一个/µs; 20 ns
v
右
= 30 v; t
vj
= 25°c
我
rm
v
右
= 100 v; 我
f
= 25 一个; -di
f
/dt = 100 一个/µs 4.0 4.9 一个
t
vj
= 100°c
初步 数据
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