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资料编号:268466
 
资料名称:DSEI120
 
文件大小: 43.08K
   
说明
 
介绍:
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号DSEI120的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
© 2000 ixys 全部 权利 保留
1 - 2
v
RSM
v
rrm
类型
v v
600 600 dsei 120-06a
符号 测试一下 条件 最大值 额定值
FRMS
t
vj
= t
VJM
100 一个
FAVM
ÿÿ
t
c
= 70
c; 矩形, d = 0.5 126 一个
FAV
t
c
= 110
c; 矩形, d = 0.5 77 一个
FRM
t
p
&指示灯; 10
s; 代表. 评级, 脉冲 宽度 有限 由 t
VJM
tbd 一个
FSM
t
vj
c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 600 一个
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 660 一个
t
vj
= 150
c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 540 一个
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 600 一个
2
t
t
vj
c t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 1800 一个
2
s
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 1800 一个
2
s
t
vj
= 150
c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 1450 一个
2
s
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 1500 一个
2
s
t
vj
-40...+150
c
t
VJM
150
c
t
stg
-40...+150
c
p
tot
t
c
c 357 w
m
d
安装 扭矩 0.8...1.2 nm
重量
6g
符号 测试一下 条件 特性 数值
典型值 最大值
t
vj
CV
= v
rrm
3mA
t
vj
CV
= 0.8 • v
rrm
0.75 ma
t
vj
= 125
CV
= 0.8 • v
rrm
20 ma
v
f
f
= 70 一个; t
vj
= 150
c 1.12 v
t
vj
=25
c 1.3 v
v
T0
用于 电源-损失 计算 仅 0.85 v
t
t
vj
= t
VJM
3.5 m
thjc
0.35 k/w
thCK
0.25 k/w
thja
35 k/w
t
rr
f
= 1 一个; -di/dt = 200 一个/
s; v
= 30 v; t
vj
= 25
C35 50 ns
rm
v
= 350 v;
f
= 80 一个; -di
f
/dt = 200 一个/
s1721A
l

0.05
h; t
vj
= 100
c
dsei 120
FAVM
= 126 一个
v
rrm
= 600 v
t
rr
= 35 ns
芯片 能力,
有限 至 70 一个 由 导联
数据 根据 至 iec 60747
ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件 和 尺寸
特点
国际 标准 包装
电子元件工业联合会 至-247 广告
平面 钝化 芯片
很 短 回收 时间
极其 低 开关 损失
低 我
rm
-数值
软 回收 行为
环氧树脂 满足 ul 94v-0
应用程序
反平行 二极管 用于 高 频率
开关 设备
反 饱和度 二极管
缓冲器 二极管
免费 轮转 二极管 入点 转换器
和 电机 控制 电路
整流器 入点 开关 模式 电源
供应品 (smps)
归纳 加热 和 熔化
不间断 电源 供应品 (ups)
超声波 cleaners 和 welders
优点
高 可靠性 电路 操作
低 电压 峰 用于 减少
保护 电路
低 噪声 开关
低 损失
操作 在 下部 温度 或
空间 正在保存 由 减少 冷却
028
快 回收
外延 二极管 (fred)
c
一个
至-247 广告
c
c
一个
一个 = 阳极, c = 阴极
尺寸
请参见 dsei 60-12 第页 d5 - 27
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