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资料编号:268479
 
资料名称:DSEI2X61
 
文件大小: 65.17K
   
说明
 
介绍:
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号DSEI2X61的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
© 2000 ixys 全部 权利 保留
1 - 2
v
RSM
v
rrm
类型
v v
200 200 dsei 2x 61-02a
符号 测试一下 条件 最大值 额定值 (按 二极管)
FRMS
t
vj
= t
VJM
100 一个
FAVM
t
c
= 85°c; 矩形, d = 0.5 71 一个
FRM
t
p
&指示灯; 10
s; 代表. 评级, 脉冲 宽度 有限 由 t
VJM
800 一个
FSM
t
vj
= 45°c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 950 一个
t
vj
= 150°c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 800 一个
2
t
t
vj
= 45°c t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 4500 一个
2
s
2
s
t
vj
= 150°c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 3200 一个
2
s
2
s
t
vj
-40...+150 °C
t
VJM
150 °C
t
stg
-40...+150 °C
p
tot
t
c
= 25°c 150 w
v
isol
50/60 赫兹, rms
isol
1 ma 2500 V~
m
d
安装 扭矩 1.1-1.5/9-13 nm/磅.入点.
终端 连接 扭矩 (m4) 1.1-1.5/9-13 nm/磅.入点.
重量
30 g
符号 测试一下 条件 特性 数值 (按 二极管)
典型值 最大值
t
vj
= 25°c v
= v
rrm
50 µA
t
vj
= 25°c v
= 0.8 • v
rrm
40 µA
t
vj
= 125°c v
= 0.8 • v
rrm
11 ma
v
f
f
= 60 一个; t
vj
= 150°C 0.88 v
t
vj
= 25°C 1.08 v
v
T0
用于 电源-损失 计算 仅 0.7 v
t
t
vj
= t
VJM
3.0 m
thjc
0.8 k/w
thCK
0.05 k/w
t
rr
f
= 1 一个; -di/dt = 200 一个/µs; v
= 30 v; t
vj
= 25°c 35 50 ns
rm
v
= 100 v;
f
= 60 一个; -di
f
/dt = 200 一个/µs 8 10 一个
l
0.05 mh; t
vj
= 100°c
dsei 2x 61
FAVm
= 2x 71 一个
v
rrm
= 200 v
t
rr
= 35 ns
FAVM
评级 包括 反向 阻塞 损失 在 t
VJM
, v
= 0.8 v
rrm
, 职责 循环 d = 0.5
数据 根据 至 iec 60747
ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件 和 尺寸
快 回收
外延 二极管 (fred)
特点
国际 标准 包装
minibloc (isotop 兼容)
隔离 电压 2500 v~
2 独立 fred 入点 1 包装
平面 钝化 芯片
很 短 回收 时间
极其 低 开关 损失
低 我
rm
-数值
软 回收 行为
应用程序
反平行 二极管 用于 高 频率
开关 设备
反 饱和度 二极管
缓冲器 二极管
免费 轮转 二极管 入点 转换器
和 电机 控制 电路
整流器 入点 开关 模式 电源
供应品 (smps)
归纳 加热 和 熔化
不间断 电源 供应品 (ups)
超声波 cleaners 和 welders
优点
高 可靠性 电路 操作
低 电压 峰 用于 减少
保护 电路
低 噪声 开关
低 损失
操作 在 下部 温度 或
空间 正在保存 由 减少 冷却
minibloc, sot-227 b
E72873
009
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