初步
rev. 3.0
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july 2004
初步
K6R1004V1D
cmos sram
用于 在&放大器;t
文件 标题
64kx16 有点 高速 cmos 静态 ram(3.3v 操作)
操作 在 商业 和 工业 温度 范围.
修订 历史
这 附加 数据 床单 是 编制 和 已批准 由 samsung 电子产品. samsung 电子产品 一氧化碳., 有限公司. 储备金 这 右侧 至变更 这
规格. samsung 电子产品 将 评估 和 回复 至 你的 请求 和 提问 开启 这 参数 的 这个 设备. 如果你 有 任何 ques-
区域, 请 联系人 这 samsung 分支机构 办公室 近 你的 办公室, 呼叫 或 联系人 总部.
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Remark
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决赛
决赛
决赛
历史
初始 文件.
速度 垃圾桶 修改
电流 修改
1. 决赛 数据表 释放
2. 删除 12ns 速度 垃圾桶.
3. 变更 icc 用于 工业 模式.
1. 删除 ub
,磅releated 计时 图表.
1. 添加 这 铅 免费 包装 类型.
项目 上一个 电流
我
抄送(工业)
8ns 100mA 90mA
10ns 85mA 75mA
草稿 数据
将. 11. 2001
六月. 18. 2001
九月. 9. 2001
12月. 18. 2001
六月. 19. 2002
july. 26, 2004
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