半导体 组件 行业, llc, 2005
january, 2005 − rev. 6
1
出版物 订单 号码:
dtc114eet1/d
dtc114eet1 系列
偏差 电阻 晶体管
npn 硅 表面 安装 晶体管
与 单片 偏差 电阻 网络
这个 新建 系列 的 数字 晶体管 是 设计 至 更换 一个 单独
设备 和 其 外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻
晶体管) 包含 一个 单独 晶体管 与 一个 单片 偏差 网络
由 的 两个 电阻; 一个 系列 底座 电阻 和 一个 base−emitter
电阻. 这 brt 消除 这些 个人 组件 由
集成 他们 进入 一个 单独 设备. 这 使用 的 一个 brt 可以 减少
两者都有 系统 成本 和 板 空间. 这 设备 是 已安置 入点 这
sc−75/sot−416 包装 哪个 是 设计 用于 低 电源 表面
安装 应用程序.
特点
•
简化了 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
这 sc−75/sot−416 包装 可以 是 焊接 使用 波浪 或
回流
•
这 已修改 gull−winged 导联 吸收 热 应力 期间
焊接 消除 这 可能性 的 损伤 至 这 模具
•
可用 入点 8 mm, 7 英寸/3000 单位 胶带 &放大器; 卷轴
•
pb−free 软件包 是 可用
最大值 额定值
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 值 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
50 Vdc
集电极-发射极 电压 v
CEO
50 Vdc
收集器 电流 我
c
100 mAdc
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生 和
可靠性 将 是 受影响.
热 特性
评级 符号 值 单位
合计 设备 耗散,
fr−4 板 (备注 1) @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
200
1.6
mW
mw/
°
c
热 电阻,
junction−to−ambient (备注 1)
右
ja
600
°
c/w
合计 设备 耗散,
fr−4 板 (备注 2) @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
300
2.4
mW
mw/
°
c
热 电阻,
junction−to−ambient (备注 2)
右
ja
400
°
c/w
接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−55 至
+150
°
c
1. fr−4 @ 最小值 衬垫
2. fr−4 @ 1.0
×
1.0 英寸 衬垫
npn 硅
偏差 电阻 晶体管
sc−75/sot−416
案例 463
风格 1
3
2
1
管脚 3
收集器
(输出)
管脚 2
发射器
(接地)
管脚 1
底座
(输入)
R1
R2
xx = 具体 设备 代码
m = 日期 代码
标记
图表
xx m
请参见 详细 订购, 标记, 和 装运 信息 入点
这 包装 尺寸 截面 开启 第页 2 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
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