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资料编号:272454
 
资料名称:BC848CPDW1T1
 
文件大小: 166.48K
   
说明
 
介绍:
Dual General Purpose Transistors(NPN/PNP Duals)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2004
六月, 2004 − rev. 3
1
出版物 订单 号码:
bc846bpdw1t1/d
bc846bpdw1t1,
bc847bpdw1t1 系列,
bc848cpdw1t1 系列
双 概述 目的
晶体管
npn/pnp duals (免费)
这些 晶体管 是 设计 用于 概述 目的 放大器
应用程序. 他们 是 已安置 入点 这 sot−363/sc−88 哪个 是
设计 用于 低 电源 表面 安装 应用程序.
特点
pb−free 包装 是 可用
最大值 额定值 − npn
评级 符号 单位
集电极-发射极 电压 BC846
BC847
BC848
v
CEO
65
45
30
v
收集器-底座 电压 BC846
BC847
BC848
v
CBO
80
50
30
v
emitter−base 电压 v
EBO
6.0 v
收集器 电流 − 连续
c
100 mAdc
v
CEO
−65
−45
−30
v
收集器-底座 电压 BC846
BC847
BC848
v
CBO
−80
−50
−30
v
emitter−base 电压 v
EBO
−5.0 v
收集器 电流 − 连续
c
−100 mAdc
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生
和 可靠性 将 是 受影响.
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散
按 设备
FR−5 板 (备注 1) t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
380
250
3.0
mW
mw/
°
c
热 电阻,
Junction−to−Ambient
ja
328
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
55 至 +150
°
c
1. fr−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 入点.
http://onsemi.com
SOT−363
案例 419b
风格 1
标记
图表
q
1
(1)(2)
(3)
(4) (5) (6)
q
2
xx = 设备 代码
d = 日期 代码
XX
d
1
6
1
†for 信息 开启 胶带 和 卷轴 规格,
包括 零件 方向 和 胶带 尺码, 请
参考 至 我们的 胶带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
设备 包装 装运
订购 信息
BC846BPDW1T1 SOT−363 3000 单位/卷轴
BC847BPDW1T1 SOT−363 3000 单位/卷轴
BC847CPDW1T1 SOT−363 3000 单位/卷轴
BC848CPDW1T1 SOT−363 3000 单位/卷轴
BC847BPDW1T1G SOT−363
(pb−free)
3000 单位/卷轴
bb
高炉
BG
bl
高炉
标记
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