半导体 组件 industries, llc, 2003
march, 2003 - rev. 0
1
发行 顺序 号码:
nst3904dxv6t1/d
nst3904dxv6t1,
NST3904DXV6T5
双 一般 目的
晶体管
这 nst3904dxv6t1 设备 是 一个 spin- 止 的 我们的 popular
sot-23/sot-323 三-含铅的 设备. 它 是 设计 为 一般
目的 放大器 产品 和 是 housed 在 这 sot- 563
六-含铅的 表面 挂载 包装. 用 putting 二 分离的 设备 在
一个 包装, 这个 设备 是 完美的 为 低-电源 表面 挂载
产品 在哪里 板 空间 是 在 一个 premium.
•
h
FE
, 100-300
•
低 v
ce(sat)
,
≤
0.4 v
•
使简化 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
含铅的-自由 焊盘 镀层
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级- 发射级 电压 V
CEO
40 Vdc
集电级- 根基 电压 V
CBO
60 Vdc
发射级- 根基 电压 V
EBO
6.0 Vdc
集电级 电流 - 持续的 I
C
200 mAdc
静电的 释放 静电释放 hbm>16000,
mm>2000
V
热的 特性
典型的
(一个 接合面 heated)
标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
357
(便条 1)
2.9
(便条 1)
mW
mw/
°
C
热的 阻抗
接合面-至-包围的
R
JA
350
(便条 1)
°
c/w
典型的
(两个都 汇合处 heated)
标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
500
(便条 1)
4.0
(便条 1)
mW
mw/
°
C
热的 阻抗
接合面-至-包围的
R
JA
250
(便条 1)
°
c/w
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
- 55 至 +150
°
C
1. fr-4 @ 最小 垫子
sot-563
情况 463a
塑料
1
2
3
6
5
4
Q
1
(1)(2)
(3)
(4) (5) (6)
Q
2
NST3946DXV6T1
订货 信息
http://onsemi.com
毫安 = 明确的 设备 代号
D = 日期 代号
标记 图解
毫安 d
设备 包装 Shipping
NST3904DXV6T1 sot-563 4 mm 程度
4000/录音带 &放大; 卷轴
NST3904DXV6T5 sot-563 2 mm 程度
8000/录音带 &放大; 卷轴
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