Si4967DY
vishay siliconix
文件 号码: 70813
s-31989—rev. c, 13-oct-03
www.vishay.com
1
双 p沟道 1.8-v (g-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.023 @ v
gs
=-4.5 v -7.5
-12
0.030 @ v
gs
=-2.5 v -6.7
0.045 @ v
gs
=-1.8 v -5.4
s
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p沟道 场效应晶体管
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p沟道 场效应晶体管
订购 信息: Si4967DY
si4967dy-t1 (与 t猿 和 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
-12
v
栅极-源极 电压 v
gs
8
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个,
b
t
一个
= 25
c
我
d
-7.5
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个,
b
t
一个
= 70
c
我
d
-6.1
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
-30
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
我
s
-1.7
最大值 电源 耗散
一个,
b
t
一个
= 25
c
p
d
2.0
w最大值 电源 耗散
一个,
b
t
一个
= 70
c
p
d
1.3
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值 接合点 至 环境
一个
t
10 秒
右
62.5
c/w最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
93
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板.
b. t
10 秒.
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