特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
应用
电池 转变 为 可携带的 设备
Si4473DY
vishay siliconix
文档号码: 71613
s-50154—rev. c, 31-jan-05
www.vishay.com
1
p-频道 14-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
−
14
0.011 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
13
−
14
0.016 @ v
GS
=
−
2.5 v
−
11
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
订货 信息: Si4473DY
si4473dy-t1 (和 tape 和 卷轴)
si4473dy—e3 (含铅的 (铅)-自由)
si4473dy-t1—e3 (含铅的 (铅)-自由和 录音带 和 卷轴)
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
−
14
V
门-源 电压 V
GS
12
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
−
13
−
9
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
−
10
−
7
一个
搏动 流 电流 I
DM
−
50
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
−
2.7
−
1.36
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.0 1.5
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.9 0.95
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
33 42
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
70 84
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
16 21
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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