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TrenchFET
电源 场效应晶体管
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Si4411DY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72149
s-03539—rev.b, 24-三月-03
www.vishay.com
1
p-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
-30
0.010 @ v
GS
=-10 v
-13
-30
0.0155 @ v
GS
=-4.5 v -10
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
订货 信息: Si4411DY
si4411dy-t1 (和 录音带 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
-30
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
-13
-9
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
-10.5 -7.5
一个
搏动 流 电流 I
DM
-50
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
-2.7 -1.36
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.0 1.5
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.9 0.95
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
33 42
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
70 85
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
16 21
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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