特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管
高级 高 细胞 密度 流程
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Si4835BDY
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72029
s-31062—rev. c, 26-将-03
www.vishay.com
1
p沟道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
-30
0.018 @ v
gs
=-10 v
-9.6
-30
0.030 @ v
gs
=-4.5 v -7.5
sd
s
d
sd
g
d
所以-8
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3
4
1
s
g
d
p沟道 场效应晶体管
订购 信息: Si4835BDY
si4835bdy-t1 (与 t猿 和 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
-30
v
栅极-源极 电压 v
gs
25
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
-9.6
-7.4
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
-7.7 -5.9
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
-50
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
-2.1 -1.3
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.5 1.5
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.6 0.9
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
右
39 50
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
70 85
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
18 22
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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