eroflex 电路 技术 - 先进的 multichip modules © scd1661b rev 一个 1/16/97
一般 描述
utilizing intel’s smartvoltage
激励 块 flash 记忆
smartdie™, 这 act–f1m32 是
一个 高 速, 32 megabit cmos
flash multichip 单元 (mcm)
设计 为 全部 温度
范围 军队, 空间, 或者 高
可靠性 产品.
这 act-f1m32 组成 的
四 高-效能 intel
x28f800bv 8 mbit (8,388,608
位) 记忆 消逝. 各自 消逝
包含 separately 可擦掉的
blocks, 包含 一个 硬件
lockable 激励 块 (16,384
字节), 二 参数 blocks
(8,192 字节 各自), 和 8 主要的
blocks (一个 块 的 98,304
字节 和 七 blocks 的
131,072 字节) 这个 定义 这
激励 块 flash 家族
architecture.
这 command 寄存器 是
写 用 bringing我们
至 一个 逻辑
低 水平的 (v
IL
), 当CE是 低
和OE
是 高 (v
IH
)
. 读 是
特性
块
图解 – cqfp(f14)
块
图解 – cqfp(f14)
■
4 低 电压/电源 intel 1m x 8 flash 消逝 在 一个
mcm 包装
■
整体的 配置 是 1m x 32
■
+5v 运作 (标准) 或者 +3.3v (咨询 工厂)
■
进入 时间 的 80, 100 和 120 ns ( 5v v
CC
)
■
+5v 或者 +12v programing
■
擦掉/程序 循环
●
100,000 商业的
●
10,000 军队 和 工业的
■
sector architecture (各自 消逝)
●
一个 16k 保护 激励 块 (
bottom 激励 块
标准, 顶 激励 块 特定的 顺序
)
●
二 8k 参数 blocks
●
一个 96k 主要的 块
●
七 128k 主要的 blocks
■
单独的 块 擦掉 (所有 位 设置 至 1)
■
硬件 数据 保护 特性
■
独立 激励 块 locking
■
mil-prf-38534 一致的 mcms 有
■
包装 – 密封的 陶瓷的
●
68 含铅的, .94" x .94" x .180" dual-cavity 小
外形 gull wing, aeroflex code# "f14"
(drops 在
这 68 含铅的 电子元件工业联合会 .99"sq cqfj footprint)
■
内部的 解耦 电容 为 低 噪音
运作
■
商业的, 工业的 和 军队 温度
范围
电路 技术
标准 配置
管脚 描述
i/o
0-31
数据 i/o
一个
0–19
地址 输入
我们
写 使能
CE
1-4
碎片 使能
OE
输出 使能
WP
写 保护
RP
重置/powerdown
V
CC
电源 供应
地 地面
NC 不 连接
管脚 描述
i/o
0-31
数据 i/o
一个
0–19
地址 输入
我们
1-4
写 使能
CE
1-4
碎片 使能
OE
输出 使能
RP
重置/powerdown
V
CC
电源 供应
地 地面
NC 不 连接
1Mx8 1Mx8 1Mx8 1Mx8
CE
4
OE
一个
0
–
一个
19
i/o
0-7
i/o
8-15
i/o
16-23
i/o
24-31
8 8 8 8
CE
3
我们
4
我们
3
我们
2
我们
1
CE
1
CE
2
RP
1Mx8 1Mx8 1Mx8 1Mx8
CE
4
OE
一个
0
–
一个
19
i/o
0-7
i/o
8-15
i/o
16-23
i/o
24-31
8 8 8 8
CE
3
我们
CE
1
CE
2
WP
RP
optional 配置
www.aeroflex.com/act1.htm
激励 块
flash multichip 单元
act–f1m32 高 速 32 megabit
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