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©
2002
mos 整体的 电路
µ
µµ
µ
pd29f064115-x
64m-位 cmos 低-电压 双 运作 flash 记忆
4m-文字 用 16-位 (文字 模式)
页 模式
数据 薄板
文档 非. m16062ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 九月 2002 ns cp (k)
打印 在 日本
这 mark
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★★
★
显示 主要的 修订 点.
描述
这
µ
pd29f064115-x 是 一个 flash 记忆 有组织的 的 67,108,864 位 和 142 sectors. sectors 的 这个 记忆 能
是 erased 在 一个 低 电压 (1.65 至 1.95 v, 1.8 至 2.1 v ) 有提供的 从 一个 电源 source, 或者 这 内容 的 这 全部
碎片 能 是 erased. 记忆 organization 是 4,194,304 words
×
16 位, 所以 那 这 记忆 能 是 编写程序 在
文字 单位.
µ
pd29f064115-x 能 是 读 高 速 和 页 模式.
这
µ
pd29f064115-x 能 是 读 当 它的 内容 是 正在 erased 或者 编写程序. 这 记忆 cell 是 分隔
在 四 banks. 当 sectors 在 任何 bank 是 正在 erased 或者 编写程序, 数据 能 是 读 从 这 其它 三
banks 感谢 至 这 同时发生的 执行 architecture. 这 banks 是 8m 位, 24m 位, 24m 位 和 8m 位.
输入 /输出 电压 是 有提供的 至 2.7 至 3.3 v.
因为 这
µ
pd29f064115-x 使能 这 激励 sector 至 是 erased, 它 是 完美的 为 storing 一个 激励 程序. 在
增加, 程序 代号 那 控制 这 flash 记忆 能 是 也 贮存, 和 这 程序 代号 能 是 编写程序
或者 erased 没有 这 需要 至 加载 它 在 内存. 16 小 sectors 为 storing 参数 是 提供, 各自 的 这个
能 是 erased 在 4k words 单位.
once 一个 程序 或者 擦掉 command sequence 有 被 executed, 一个 自动 程序 或者 自动 擦掉
函数 内部 executes 程序 或者 擦掉 和 verification automatically. 这 程序编制 时间 是 关于 0.5
秒 每 sector. 这 擦掉 时间 是 较少 比 1 第二 每 sector.
因为 这
µ
pd29f064115-x 能 是 用电气 erased 或者 编写程序 用 writing 一个 操作指南, 数据 能 是
reprogrammed 在-板 之后 这 flash 记忆 有 被 安装 在 一个 系统, 制造 它 合适的 为 一个 宽 范围 的
产品.
这个 flash 记忆 是 packed 在 48-管脚 塑料 tsop (i), 63-管脚 录音带 fbga 和 85-管脚 录音带 fbga.
特性
•
四 bank organization enabling 同时发生的 执行 的 程序 / 擦掉 和 读
•
高-速 读 和 页 模式
•
bank organization : 4 banks (8m 位 + 24m 位 + 24m 位 + 8m 位)
•
记忆 organization : 4,194,304 words
×
16 位
•
sector organization : 142 sectors (4k words
×
16 sectors, 32k words
×
126 sectors)
这 激励 sector 是 located 在 这 最高的 地址 (sector) 和 这 最低 地址 (sector)
•
3-状态 输出
•
自动 程序
•
程序 suspend / 重新开始
•
unlock 绕过 程序
•
自动 擦掉
•
碎片 擦掉
•
sector 擦掉 (sectors 能 是 联合的 freely)
•
擦掉 suspend / 重新开始
•
程序 / 擦掉 completion 发现
•
发现 通过 数据 polling 和 toggle 位
•
发现 通过 ry (/用) 管脚
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