©2001 硅 存储 技术, 公司
s71135-02-000 4/01 380
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这 sst 徽标 和 superflash 是 已注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
combomemory 是 一个 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 变更 无 通知.
数据 工作表
特点:
• rom + sram rom/ram 组合
– sst30vr021: 256k x8 rom + 128k x8 sram
– sst30vr022: 256k x8 rom + 256k x8 sram
– sst30vr023: 256k x8 rom + 32k x8 sram
•
rom/ram 组合 开启 一个 单片 芯片
•
等效 combomemory (闪光灯 + sram):
sst31lf021e 用于 代码 发展 和
预生产
•
宽 操作 电压 范围: 2.7-3.3v
•
芯片 访问权限 时间
–
SST30VR022 70 ns
–
sst30vr021/023 500 ns
•
低 电源 耗散:
–
备用: 3 µw (典型)
–
操作: 10 mw (典型)
•
完全 静态 操作
–
否 时钟 或 刷新 必填项
•
三个 州 产出
•
软件包 可用
–
32-管脚 tsop (8mm x14mm)
产品 描述
这 sst30vr021/022/023 是 rom/ram 组合 芯片
由 的 2 mbit 阅读 仅 记忆 有组织的 作为 256
千字节 和 静态 随机 访问权限 记忆 有组织的 作为
128, 256, 和 32 千字节.
这 设备 是 预制 使用 sst
’
s 高级 cmos 低
电源 流程 技术.
这 sst30vr021/022/023 有 一个 输出 启用 输入 用于
精确 控制 的 这 数据 产出. 它 也 有 两个 (2) 国家环保总局-
费率 芯片 启用 输入 用于 选择 的 要么 ram 或 rom
和 用于 最小化 电流 排水管 期间 掉电 模式.
这 sst30vr021/022/023 是 特别是 井 适合 用于
使用 入点 低 电压 (2.7-3.3v) 供应品 这样的 作为 寻呼机,
组织者 和 其他 手持设备 应用程序.
RAMCS#
OE#
ROMCS#
WE#
DQ
7
-dq
0
一个
ms
-一个
0
备注: 一个
ms
= 大多数 重大 地址
ROMCS#
ram
rom
WE#
OE#
OE#
380 生病了 b1.1
地址 缓冲区
数据 缓冲区
RAMCS#
控制
电路
f
功能
B
锁
d
IAGRAM
2 mbit rom + 1 mbit / 2mbit / 256 kbit sram
rom/ram 组合
sst30vr021 / sst30vr022 / sst30vr023
sst30vr021/022/0232 mb 面具 rom (x8) + 1 mb / 2mb / 256 kb sram (x8) 组合
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