rf 字符抽搐 ( 瓦特 输出 )300
概述 描述
硅 vdmos 和 ldmos
晶体管 设计 具体而言
用于 宽带 rf 应用程序.
适合 用于 军事 收音机,
细胞 和 分页 放大器 底座
车站, 广播 调频/上午, mri,
激光 直接还原铁ver 和 其他.
专利 黄金 金属化
300瓦特 Gemini
包装 风格 ar
高 效率, 线性,
绝对 最大值 额定值 (tc = 25 c)
o
合计
设备
接合点 至
案例 热
最大值
接合点
存储
温度
直流 排水管
电流
排水管 至
闸门
排水管 至
来源
闸门 至
来源
500 watts 0.35
c
o
200 -65 至 150
24 一个
30V
VV150 150
电气 特性 (每个 侧面)
符号 参数 最小 典型值 最大值 单位 测试一下 条件
符号 参数 最小 典型值 最大值 单位 测试一下 条件
Gps
η
vswr
普通 来源 电源 盖
排水管 efficienc
荷载 不匹配 toleranc
db
%
相对
13
65
1.2
20:1
idq =
idq =
idq =
1.2
1.2
一个,
一个,
一个,
50.0vds = v,
50.0vds = v,
50.0vds = v,
f = 150 MHz
f = 150 MHz
f = 150 MHz
Bvdss
Idss
Igss
Vgs
通用汽车
Rdson
Idsat
Ciss
Crss
Coss
排水管 击穿 电压
零 偏差 排水管 curren
闸门 泄漏 curren
闸门 偏差 用于 排水管 curren
前进 transconductanc
饱和度 resistanc
饱和度 curren
普通 来源 输入 capacitanc
普通 来源 反馈 capacitanc
普通 来源 输出 capacitanc
125
16
1
71
6.4
0.18
38.4
360
17.6
160
mho
欧姆
放大器
pf
v
v
pf
pf
ma
ua
0.1ids = 一个,
vgs = 0v
50.0vds = v, vgs = 0v
vds = 0 v, vgs = 30v
0.15ids = 一个, vgs = vds
vds = 10v, vgs = 5v
vgs = 20v, ids = 16
vgs = 20v, vds = 10v
50.0vds = v, vgs = 0v, f = 1 mhz
一个
50.0vds = v, vgs = 0v, f = 1 mhz
50.0vds = v, vgs = 0v, f = 1 mhz
polyfet rf 设备
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax:(805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
修订
硅 闸门 增强功能 模式
rf 采购订单wer
高 增益, low 噪声
"polyfet" 流程 特点
黄金 金属 用于 很大 扩展
使用寿命. 低 输出 电容
和 高 f 增强 宽带
业绩
t
tm
c
o
c
o
c/w
o
F1430
polyfet rf 设备
耗散 电阻 温度 电压 电压 电压
1/12/98
VDMOS 晶体管
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