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mrf183 mrf183s
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线
RF 电源
字段 效果 晶体管
n–channel enhancement–mode 横向
MOSFETs
设计 用于 宽带 商业 和 工业 应用程序 在 频率-
cies 至 1.0 ghz. 这 高 增益 和 宽带 业绩 的 这些 设备
使 ithem 理想 用于 large–signal, 普通 来源 放大器 应用程序 入点 28
电压 底座 车站 设备.
•
保证 业绩 在 945 mhz, 28 伏特
输出 电源 – 45 瓦特 pep
电源 增益 – 11.5 db
效率 – 33%
imd – 28 dbc
•
表征 与 系列 等效 large–signal
阻抗 参数
•
s–parameter 表征 在 高 偏差 级别
•
优秀 热 稳定性
•
100% 已测试 用于 荷载 不匹配 应力 在 全部 相位 角片
与 5:1 vswr @ 28 vdc, 945 mhz, 45 瓦特 cw
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
65 Vdc
drain–gate 电压 (rgs = 1 meg 欧姆) v
DGR
65 Vdc
gate–source 电压 v
gs
±
20 Vdc
排水管 电流 – 连续 我
d
5 adc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 70
°
c
降额 以上 70
°
c
p
d
86
0.67
w
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
– 65 至 +200
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 右
θ
jc
1.5
°
c/w
备注 –
注意事项
– mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
订单 这个 文件
由 mrf183/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MRF183
MRF183S
45 w, 1.0 ghz
横向 n–channel
宽带
rf 电源 mosfets
案例 360b–01, 风格 1
(mrf183)
案例 360c–03, 风格 1
(mrf183s)
摩托罗拉, 公司 1997
g
d
s
rev 6
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