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资料编号:307979
 
资料名称:MRF1946A
 
文件大小: 141.74K
   
说明
 
介绍:
RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
 
 


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1
mrf1946 mrf1946a
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 线
npn
电源 晶体管
. . . 设计fo右 12.5 volt large–signal p右 一个mplifiers 我n commercial一个
工业 设备.
高 普通 发射器 电源 增益
指定 12.5 v, 175 mhz 业绩
输出 电源 = 30 瓦特
电源 增益 = 10 db
效率 = 60%
扩散 发射器 电阻 ballasting
表征 至 220 mhz
荷载 不匹配 在 高 线 和 超速行驶 条件
最大值 额定值
评级 符号 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
16 Vdc
collector–base 电压 v
CBO
36 Vdc
emitter–base 电压 v
EBO
4.0 Vdc
收集器 电流 — 连续
c
8.0 adc
合计 设备 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
100
0.57
瓦特
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
65 至 +150
°
c
接合点 温度 t
j
200
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例
θ
jc
1.75
°
c/w
电气 特性
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明.)
特性
符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= 25 madc, 我
B
= 0)
v
(br)ceo
16 Vdc
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= 25 madc, v
= 0)
v
(br)消费电子展
36 Vdc
emitter–base 击穿 电压
(我
e?
= 5.0 madc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
4.0 Vdc
收集器 截止 电流
(v
ce
= 15 vdc, v
= 0, t
c
= 25
°
c)
消费电子展
5.0 mAdc
开启 特性
直流 电流 增益
(我
c
= 1.0 adc, v
ce
= 5.0 vdc)
h
40 75 150
(续)
订单 这个 文件
由 mrf1946/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MRF1946
MRF1946A
30 w, 136220 mhz
rf 电源
晶体管
npn 硅
案例 211–07, 风格 1
MRF1946
案例 145a–09, 风格 1
MRF1946A
摩托罗拉, 公司 1994
rev 6
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