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MRF321
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 线
npn 硅
RF 电源 晶体管
. . . 设计主要 用于 宽带 large–signal 驾驶员 和 前置驱动器 放大器
阶段 入点 200–500 mhz 频率 范围.
•
保证 业绩 在 400 mhz, 28 vdc
输出 电源 = 10 瓦特
电源 增益 = 12 db 最小
效率 = 50% 最小
•
100% 已测试 用于 荷载 不匹配 在 全部 相位 角片 与 30:1 vswr
•
黄金 金属化 系统 用于 高 可靠性
•
computer–controlled wirebonding 给出 一致 输入 阻抗
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
33 Vdc
collector–base 电压 v
CBO
60 Vdc
emitter–base 电压 v
EBO
4.0 Vdc
收集器 电流 — 连续
收集器 电流— 峰值
我
c
1.1
1.5
adc
合计 设备 耗散 @ t
一个
= 25
°
c (1)
降额 以上 25
°
c
p
d
27
160
瓦特
mw/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–65 至 +150
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 右
θ
jc
6.4
°
c/w
电气 特性
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明.)
特性
符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= 20 madc, 我
B
= 0)
v
(br)ceo
33 — — Vdc
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= 20 madc, v
是
= 0)
v
(br)消费电子展
60 — — Vdc
collector–base 击穿 电压
(我
c
= 20 madc, 我
e?
= 0)
v
(br)cbo
60 — — Vdc
emitter–base 击穿 电压
(我
e?
= 2.0 madc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
4.0 — — Vdc
收集器 截止 电流
(v
cb
= 30 vdc, 我
e?
= 0)
我
CBO
— — 1.0 mAdc
开启 特性
直流 电流 增益
(我
c
= 500 ma, v
ce
= 5.0 vdc)
h
铁
20 — 80 —
备注: (续)
1. 这个设备 是 设计 用于 rf 操作. 这合计 设备 耗散 评级 适用 仅 当 这 设备 是 操作 作为 一个 rf 放大器.
订单 这个 文件
由 mrf321/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MRF321
10 w, 400 mhz
rf 电源
晶体管
npn 硅
案例 244–04, 风格 1
摩托罗拉, 公司 1994
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