标识 参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 20 V
V
GS
门-至-源 电压 ± 20 v
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 110
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 69 一个
I
DM
搏动 流 电流
440
P
D
@T
C
= 25°c 最大 电源 消耗 120 W
P
D
@T
一个
= 25°c 最大 电源 消耗
3.1 W
直线的 减额 因素 0.96 w/°c
T
J
, t
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
www.irf.com 1
11/15/01
IRF3711
IRF3711S
IRF3711L
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
20V 6.0m
Ω
110A
注释
通过
是 在 页 11
绝对 最大 比率
D
2
Pak
IRF3711S
至-220ab
IRF3711
至-262
IRF3711L
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
1.04
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面
0.50
––– °
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
62
R
θ
JA
接合面-至-包围的(pcb 挂载)
–––
40
产品
益处
过激-低 门 阻抗
非常 低 rds(在) 在 4.5v v
GS
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
高 频率 分开的 直流-直流
转换器 和 同步的 整流
为 电信 和 工业的 使用
高 频率 buck 转换器 为
server 处理器 电源 同步的 场效应晶体管
优化 为 同步的 buck
转换器 包含 电容的 induced
转变-在 免除
pd- 94062b
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