irf520ns/l
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd -91340a
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器 利用 高级
加工 技术 至 实现 极其 低 导通电阻 按 硅 面积.
这个 效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和 加固 设备
设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这
设计师 与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种
的 应用程序.
这 d
2
pak 是 一个 表面 安装 电源 包装 有能力 的 可容纳性 模具
尺码 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这 最高 电源 能力 和 这 最低
可能 导通电阻 入点 任何 现有 表面 安装 包装. 这 d
2
pak 是
适合 用于 高 电流 应用程序 因为 的 其 低 内部 连接
电阻 和 可以 消散 向上 至 2.0w 入点 一个 典型 表面 安装 应用程序.
这 通孔 版本 (irf520nl) 是 可用 用于 低调 应用程序.
s
d
g
描述
5/13/98
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 3.1
右
θ
ja
交叉点到环境 ( pcb 已安装,稳定-州)** ––– 40
热 电阻
°c/w
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
9.7
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
6.8 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
38
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 3.8 w
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 48 w
线性 降额 因素 0.32 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
91 mJ
我
ar
雪崩 电流
5.7 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
4.8 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
绝对 最大值 额定值
高级 流程 技术
表面 安装 (irf520ns)
低调 通孔 (irf520nl)
175°c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
2
dpak
至-262
v
DSS
= 100v
右
ds(开启)
= 0.20
Ω
我
d
= 9.7a
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