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资料编号:314623
 
资料名称:IRF530FP
 
文件大小: 77.58K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF530FP
n - 频道 增强功能 模式
电源 mos 晶体管
典型 右
ds(开启)
= 0.12
100% 雪崩 已测试
重复性 雪崩 数据 在 100
o
c
低 闸门 费用
雪崩 坚固耐用 技术
应用程序 面向
表征
高 电流 能力
175
o
应用程序
高 电流, 高 速度 开关
solenoid 和 继电器 驱动程序
直流-直流 &放大器; 直流-交流电 变频器
汽车 envronment (注射,
abs, 空气-包, 灯 驱动程序, 等等)
内部 原理图 图表
绝对 最大值 额定值
符号 参数 单位
v
ds
漏源 电压 (v
gs
= 0) 100 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
= 20 k
)
100 v
v
gs
栅极-源极 电压
±
20 v
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 25
o
c
10
一个
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
= 100
o
C7A
dm
(
) 排水管 电流 (脉冲) 64 一个
p
tot
合计 耗散 在 t
c
= 25
o
C35W
降额 因素 0.23 w/
o
c
v
iso
绝缘 承受 电压 (直流) 2000 v
t
stg
存储 温度 -65 至 175
o
c
t
j
最大值 操作 接合点 温度 175
o
c
(
) 脉冲 宽度 有限 由安全 操作 面积
类型 v
DSS
ds(开启)
d
IRF530FP 100 v &指示灯; 0.16
10 一个
march 1998
1
2
3
至-220fp
1/5
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