雪崩 坚固耐用 技术
坚固耐用 闸门 氧化物 技术
下部 输入 电容
改进 闸门 费用
扩展 安全 操作 面积
175 操作 温度
下部 泄漏 电流 : 10 一个 (最大值.) @ v
ds
= 100v
下部 右
ds(开启)
: 0.041 (典型值.)
高级 电源 场效应晶体管
热 电阻
连接至壳体
案例-至-水槽
交叉点到环境
右
jc
右
cs
右
ja
/w
特性 最大值 单位符号 典型值
特点
绝对 最大值 额定值
漏源 电压
连续 排水管 电流 (t
c
=25 )
连续 排水管 电流 (t
c
=100 )
排水管 电流-脉冲
栅极到源极 电压
单独 脉冲 雪崩 能源
雪崩 电流
重复性 雪崩 能源
峰值 二极管 回收 设计验证/dt
合计 电源 耗散 (t
c
=25 )
线性 降额 因素
操作 接合点 和
存储 温度 范围
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8”从 案例 用于 5-秒
特性 值 单位符号
我
dm
v
gs
e?
作为
我
ar
e?
ar
设计验证/dt
我
d
p
d
t
j
, t
stg
t
l
一个
v
mJ
一个
mJ
v/ns
w
w/
一个
v
DSS
v
至-220
1.闸门 2. 排水管 3. 来源
3
2
1
µ
Ω
o
1
o
2
o
3
Ο
c
Ο
c
o
1
o
1
Ο
c
Ο
c
Ο
c
Ο
c
Ο
c
θ
θ
θ
IRF540A
BV
DSS
= 100 v
右
ds(开启)
= 0.052
我
d
= 28 一个
100
28
19.8
110
523
28
10.7
6.5
107
0.71
- 55 至 +175
300
1.4
--
62.5
--
0.5
--
Ω
2
0
+
_
©1999 仙童 半导体 公司
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