IRF540N
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
03/13/01
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.15
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.50 ––– °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 62
热 电阻
www.irf.com 1
v
DSS
= 100v
右
ds(开启)
= 44m
Ω
我
d
= 33a
s
d
g
至-220ab
高级 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 快 开关 速度 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井
已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效
和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 至-220 包装 是 universally 首选 用于 全部
商业-工业 应用程序 在 电源 耗散
级别 至 大约 50 瓦特. 这 低 热
电阻 和 低 包装 成本 的 这 至-220 贡献
至 其 宽 验收 贯穿始终 这 行业.
高级 流程 技术
超 低 导通电阻
动态 设计验证/dt 评级
175
°
c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
描述
绝对 最大值 额定值
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 33
我
d
@ t
c
= 100
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 23 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
110
p
d
@T
c
= 25
°
c 电源 耗散 130 w
线性 降额 因素 0.87 w/
°
c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
我
ar
雪崩 电流
16 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
13 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
7.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°
c
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew 10 lbf
•
入点 (1.1n
•
m)
pd - 91341b
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