stp80nf55-06
stp80nf55-06fp
n - 频道 55V - 0.005
Ω
- 80A 至-220/至-220fp
STripFET
电源 场效应晶体管
初步 数据
■
典型 右
ds(开启)
= 0.005
Ω
■
例外 设计验证/dt 能力
■
100% 雪崩 已测试
■
应用程序 面向
表征
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新 发展 的
意法半导体 独一无二 ”Single 功能
尺寸
” 压条-基于 流程. 这 结果 过渡-
stor 显示 极其 高 填料 密度 用于 低
导通电阻, 坚固耐用 avalance 特性
和 较少 关键 铝ignment 步骤 因此 一个 re-
markable 制造业 reproducibility.
应用程序
■
SOLENOID 和 继电器 驱动程序
■
电机 控制, 音频 放大器
■
直流-直流 转换器
■
汽车 环境
内部 原理图 图表
绝对 最大值 额定值
符号 参数 值 unit
stp80nf55-06 STP55NF55-06fp
v
ds
排水管-source? 电压 (v
gs
=0) 55 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
=20k
Ω
)
55 v
v
gs
g吃了-s来源 电压年龄
±
20 v
我
d
排水管 current (连续) 在 t
c
=25
o
C8060A
我
d
排水管 current (连续) 在 t
c
=100
o
C57 42A
我
dm
(
•
) 排水管 电流 (脉冲) 320 240 一个
p
tot
t奥塔尔 Dissipat离子 在 t
c
=25
o
C21050W
降额 fac托尔 1.43 0.33 w/
o
c
v
iso
绝缘 承受 电压 (直流)
2000 v
设计验证/dt 峰值 二极管 recovery v旧 坡度 7 v/ns
t
stg
存储 温度e? -65 至 175
o
c
t
j
最大值 操作 junc操作 透射电镜按在ure 175
o
c
(
•
) pulse 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (
1
)我
sd
≤
80 一个, di/dt
≤
300 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
,t
j
≤
t
jmax
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
stp80nf55-06
stp80nf55-06fp
55 v
55 v
&指示灯; 0.0065
Ω
&指示灯; 0.0065
Ω
80 一个
60 一个
July 1999
至-220 至-220fp
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