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资料编号:315230
 
资料名称:MRF581A
 
文件大小: 240.39K
   
说明
 
介绍:
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
msc1318.pdf 10-25-99
mrf581/mrf581a
描述:
设计 用于 高 电流, 低 电源, 低 噪声,放大器 向上 至 1.0ghz.
绝对 最大值 额定值
(tcase = 25
°
c)
符号 参数 MRF581 MRF581A 单位
v
CEO
集电极-发射极 电压 18 15 Vdc
v
CBO
收集器-底座 电压 30 Vdc
v
EBO
发射器-底座 电压 2.5 Vdc
c
收集器 电流 200 ma
p
d
合计 设备 耗散 @ tc = 50ºc
降额 以上 50ºc
2.5
25
瓦特
mw/º
c
p
d
合计 设备 耗散 @ tc = 25ºc
降额 以上 25ºc
1.25
10
瓦特
mw/º
c
Tstg
存储 接合点 温度 范围
-65 至 +150
º
c
t
jmax
最大值 接合点 温度
150
º
c
宏 x
特点
低 噪声 - 2.5 db @ 500MHZ
高 增益,
增益 在 最佳 噪声 图 = 15.5 db @ 500 mhz
ftau - 5.0ghz @ 10v, 75ma
成本 有效macrox 包装
rf &放大器; 微波炉 离散
低 电源 晶体管
140 commerce 驱动器
montgomeryville, pa
18936-1013
电话: (215) 631-9840
传真: (215) 631-9855
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