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MRF587
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 线
npn 硅
高频 晶体管
. . . 设计用于 使用 入点 high–gain, low–noise, ultra–linear, 已调谐 和 宽带
放大器. 理想 用于 使用 入点 catv, matv, 和 仪器仪表 应用程序.
•
低 噪声 图 —
nf = 3.0 db (典型值) @ f = 500 mhz, 我
c
= 90 ma
•
高 电源 增益 —
g
u(最大值)
= 16.5 db (典型值) @ f = 500 mhz
•
离子 植入
•
全部 黄金 金属 系统
•
高 f
t
— 5.5 ghz
•
低 互调 失真:
tb
3
= –70 db
din = 125 db
µ
v
•
nichrome 发射器 镇流器 电阻
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
17 Vdc
collector–base 电压 v
CBO
34 Vdc
emitter–base 电压 v
EBO
2.5 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
200 mAdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 50
°
c
降额 以上 t
c
= 50
°
c
p
d
5.0
33
瓦特
mw/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
– 65 至 +150
°
c
接合点 温度 t
j
200
°
c
电气 特性
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明.)
特性
符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= 5.0 madc, 我
B
= 0)
v
(br)ceo
17 — — Vdc
collector–base 击穿 电压
(我
c
= 1.0 madc, 我
e?
= 0)
v
(br)cbo
34 — — Vdc
emitter–base 击穿 电压
(我
c
= 0, 我
e?
= 0.1 madc)
v
(br)ebo
2.5 — — Vdc
收集器 截止 电流
(v
cb
= 10 vdc, 我
e?
= 0)
我
CBO
— — 50
µ
adc
开启 特性
直流 电流 增益 (1)
(我
c
= 50 madc, v
ce
= 5.0 vdc)
h
铁
50 — 200 —
备注: (续)
1. 300
µ
s 脉冲 开启 tektronix 576 或 等效.
订单 这个 文件
由 mrf587/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MRF587
nf = 3.0 db @ 0.5 ghz
高频
晶体管
npn 硅
案例 244a–01, 风格 1
摩托罗拉, 公司 1994
rev 6
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