0.040 (1.02)
0.100 (2.54)
0.050 (1.27)
45°
0.040 (1.02)
13
0.030 (0.76)
NOM
0.184 (4.67)
0.209 (5.31)
1.00 (25.4)
最小值
0.255 (6.48)
ANODE
(情况)
Ø0.020 (0.51) 2x
1. 减额 电源 消耗 成直线地 1.70 mw/°c 在之上 25°c 包围的.
2. 减额 电源 消耗 成直线地 13.0 mw/°c 在之上 25°c 情况.
3. rma 通量 是 推荐.
4. methanol 或者 isopropyl alcohols 是 推荐 作 cleaning
agents.
5. 焊接 iron tip
1/16”
(1.6mm) 最小 从 housing.
6. 作 长 作 leads 是 不 下面 任何 压力 或者 spring tension
7. 总的 电源 输出, p
O
, 是 这 总的 电源 radiated 用 这 设备 在
一个 固体的 角度 的 2
!
steradians.
包装 维度
特性
• 好的 视力的 至 机械的 排成直线
• mechanically 和 wavelength matched
至 这 至-18 序列 phototransistor
• hermetically sealed 包装
• 高 irradiance 水平的
参数 标识 比率 单位
运行 温度 T
OPR
-65 至 +125 °C
存储 温度 T
STG
-65 至 +150 °C
焊接 温度 (iron)
(3,4,5 和 6)
T
sol-i
240 为 5 秒 °C
焊接 温度 (流动)
(3,4 和 6)
T
sol-f
260 为 10 秒 °C
持续的 向前 电流 I
F
100 毫安
向前 电流 (pw, 10µs; 100hz) I
F
3A
向前 电流 (pw, 1µs; 200hz) I
F
10 一个
反转 电压 V
R
3V
电源 消耗 (t
一个
= 25°c)
(1)
P
D
170 mW
电源 消耗 (t
C
= 25°c)
(2)
P
D
1.3 W
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指定)
注释:
1. 维度 为 所有 绘画 是 在 英寸 (mm).
2. 容忍 的 ± .010 (.25) 在 所有 非-名义上的 维度
除非 否则 指定.
f5d1/2/3
algaas infrared 发出 二极管
描述
• 这 f5d 序列 是 一个 880 nm led 在 一个
narrow 角度, 至-46 包装.
ANODE
(连接
至 情况)
3
1
CATHODE
图式
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
顶峰 emission wavelength I
F
= 100 毫安
"
P
— 880 — nm
emission 角度 在 1/2 电源 I
F
= 100 毫安
#
— ±8 — deg.
向前 电压 I
F
= 100 毫安 V
F
— — 1.7 V
反转 泄漏 电流 V
R
= 3 v I
R
— — 10 µA
总的 电源 f5d1
(7)
I
F
= 100 毫安 P
O
12.0 — — mW
总的 电源 f5d2
(7)
I
F
= 100 毫安 P
O
9.0 — — mW
总的 电源 f5d3
(7)
I
F
= 100 毫安 P
O
10.5 — — mW
上升 时间 0-90% 的 输出 t
r
— 1.5 — µs
下降 时间 100-10% 的 输出 t
f
— 1.5 — µs
电的 / 视力的 特性
(t
一个
=25°c) (所有 度量 制造 下面 脉冲波 情况)
2001 仙童 半导体 公司
DS300286 4/24/01 1 的 3 www.fairchildsemi.com
: 点此下载
