mrf6p3300hr3 mrf6p3300hr5
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rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
rf 电源 字段 效果 晶体管
n-频道 增强功能-模式 横向 场效应晶体管
设计 用于 宽带 商业 一个d 工业 应用程序 与
频率 从 470 至 860 mhz. 这 高 增益 和 宽带 业绩
的 这个 设备 制造 它 理想 用于 大型-信号, 普通-来源 放大器
应用程序 入点 32 电压 模拟 或 数字 电视 变送器 设备.
•
典型 窄带 两个-音调 业绩 @ 860 mhz: v
dd
= 32 伏特,
我
DQ
= 1600 ma, p
出点
= 270 瓦特 pep
电源 增益 — 20.2 db
排水管 效率 — 44.1%
imd —-30.8 dbc
•
典型 窄带 dvbt ofdm 业绩 @ 860 mhz: v
dd
=
32 伏特, 我
DQ
= 1600 ma, p
出点
= 60 瓦特 平均值., 8k 模式, 64 qam
电源 增益 — 20.4 db
排水管 效率 — 29%
acpr @ 3.9 mhz 偏移量 —-57 dbc @ 20 khz 带宽
•
有能力 的 搬运 10:1 vswr, @ 32 vdc, 860 mhz, 300 瓦特 cw
输出 电源
•
表征 与 系列 等效 大型-信号 阻抗 参数
•
内部 匹配 用于 轻松 的 使用
•
设计 用于 按压-拉 操作 仅
•
合格 向上 至 一个 最大值 的 32 v
dd
操作
•
综合 esd 保护
•
下部 热 电阻 包装
•
低 黄金 电镀 厚度 开启 导联, 40
µ
″
标称值.
•
铅-免费 和 rohs 符合
•
入点 胶带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 按 56 mm, 13 英寸 卷轴.
r5 后缀 = 50 单位 按 56 mm, 13 英寸 卷轴.
表 1. 最大值 额定值
评级 符号 值 单位
排水管-来源 电压 v
DSS
-0.5, +68 Vdc
闸门-来源 电压 v
gs
-0.5, +12 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
761
4.3
w
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
- 65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
表 2. 热 特性
特性 符号 值
(1,2)
单位
热 电阻, 接合点 至 案例
案例 温度 80
°
c, 300 w cw
案例 温度 82
°
c, 220 w cw
案例 温度 79
°
c, 100 w cw
案例 温度 81
°
c, 60 w cw
右
θ
jc
0.23
0.24
0.27
0.27
°
c/w
1. mttf 计算器 可用 在 http://www.飞思卡尔.com/rf. 选择 工具/软件/应用程序 软件/计算器 至
访问权限 这 mttf 计算器 由 产品.
2. 参考 至 an1955,
热 测量 方法论 的 rf 电源 放大器.
走 至 http://www.飞思卡尔.com/rf.
选择 文档/应用程序 备注-an1955.
备注 -
注意事项
-mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
文件 号码: mrf6p3300h
rev. 0, 9/2005
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
MRF6P3300HR3
MRF6P3300HR5
470-860 mhz, 300 w, 32 v
横向 n-频道
rf 电源 场效应晶体管
案例 375g-04, 风格 1
ni-860C3
飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2005. 全部 权利 保留.
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