mrf6s23100hr3 mrf6s23100hsr3
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rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
rf 电源 字段 效果 晶体管
n-频道 增强功能-模式 横向 mosfets
设计 用于 802.16 wibro 和 双模式 应用程序 与 频率
从 2300 至 2400 mhz. 适合 用于 类 ab 前馈 和 预失真
系统.
•
典型 2-承运人 w-cdma 业绩: v
dd
= 28 伏特, 我
DQ
= 1000 ma,
p
出点
= 20 瓦特 平均值., 已满 频率 乐队, 频道 带宽 =
3.84 mhz, par = 8.5 db @ 0.01% 概率 开启 ccdf.
电源 增益 — 15.4 db
排水管 效率 — 23.5%
im3 @ 10 mhz 偏移量 —-37 dbc @ 3.84 mhz 频道 带宽
acpr @ 5 mhz 偏移量 —-40.5 dbc @ 3.84 mhz 频道 带宽
•
有能力 的 搬运 10:1 vswr, @ 28 vdc, 2390 mhz, 100 瓦特 cw
输出 电源
•
表征 与 系列 等效 大型-信号 阻抗 参数
•
内部 匹配 用于 轻松 的 使用
•
合格 向上 至 一个 最大值 的 32 v
dd
操作
•
综合 esd 保护
•
下部 热 电阻 包装
•
设计 用于 下部 记忆 效果 和 宽 瞬时 带宽
应用程序
•
低 黄金 电镀 厚度 开启 导联, 40
µ
″
标称值.
•
铅-免费 和 rohs 符合
•
入点 胶带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 按 56 mm, 13 英寸 卷轴.
表 1. 最大值 额定值
评级 符号 值 单位
排水管-来源 电压 v
DSS
-0.5, +68 Vdc
闸门-来源 电压 v
gs
-0.5, +12 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
330
1.9
w
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
- 65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
cw 操作 CW 100 w
表 2. 热 特性
特性 符号 值
(1,2)
单位
热 电阻, 接合点 至 案例
案例 温度 80
°
c, 100 w cw
案例 温度 75
°
c, 20 w cw
右
θ
jc
0.53
0.59
°
c/w
1. mttf 计算器 可用 在 http://www.飞思卡尔.com/rf. 选择 工具/软件/应用程序 软件/计算器 至 访问权限
这 mttf 计算器 由 产品.
2. 参考 至 an1955,
热 测量 方法论 的 rf 电源 放大器.
走 至 http://www.飞思卡尔.com/rf.
选择 文档/应用程序 备注-an1955.
备注 -
注意事项
-mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
文件 号码: mrf6s23100h
rev. 0, 8/2005
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
MRF6S23100HR3
MRF6S23100HSR3
2300-2400 mhz, 20 w 平均值., 28 v
2 x w-CDMA
横向 n-频道
rf 电源 mosfets
案例 465-06, 风格 1
ni-780
MRF6S23100HR3
案例 465a-06, 风格 1
ni-780S
MRF6S23100HSR3
飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2005. 全部 权利 保留.
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