mrf6s9045nr1 mrf6s9045nbr1 mrf6s9045mr1 mrf6s9045mbr1
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rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
rf 电源 字段 效果 晶体管
n-频道 增强功能-模式 横向 mosfets
设计 用于 宽带 商业 一个d 工业 应用程序 与
频率 向上 至 1000 mhz. 这 嗨生长激素 增益 和 宽带 业绩 的
这些 设备 制造 他们 理想 用于 大型-信号, 普通-来源 放大器
应用程序 入点 28 电压 底座 车站 设备.
•
典型 单独-承运人 n-cdma 业绩 @ 880 mhz, v
dd
= 28 伏特,
我
DQ
= 350 ma, p
出点
= 10 瓦特 平均值., 是-95 cdma (领航员, 同步, 分页,
交通 代码 8 通过 13) 频道 带宽 = 1.2288 mhz. par =
9.8 db @ 0.01% 概率 开启 ccdf.
电源 增益 — 22.7 db
排水管 效率 — 32%
acpr @ 750 khz 偏移量 —-47 dbc @ 30 khz 带宽
gsm 边缘 应用程序
•
典型 gsm 边缘 业绩: v
dd
= 28 伏特, 我
DQ
= 350 ma,
p
出点
= 16 瓦特 平均值., 已满 频率 乐队 (921-960 mhz)
电源 增益 — 20 db
排水管 效率 — 46%
光谱 regrowth @ 400 khz 偏移量 =-62 dbc
光谱 regrowth @ 600 khz 偏移量 =-78 dbc
evm — 1.5% rms
GSM应用程序
•
典型 gsm 业绩: v
dd
= 28 伏特, 我
DQ
= 350 ma, p
出点
= 45 瓦特,
已满 频率 乐队 (921-960 mhz)
电源 增益 — 20 db
排水管 效率 — 68%
•
有能力 的 搬运 5:1 vswr, @ 28 vdc, 880 mhz, 45 瓦特 cw
输出 电源
•
表征 与 系列 等效 大型-信号 阻抗 参数
•
综合 esd 保护
•
n 后缀 表示 铅-免费 终端
•
200
°
c 有能力 塑料 包装
•
至-270-2 入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 24 mm,
13 英寸 卷轴.
•
至-272-2 入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 44 mm,
13 英寸 卷轴.
表 1. 最大值 额定值
评级 符号 值 单位
排水管-来源 电压 v
DSS
- 0.5, +68 Vdc
闸门-来源 电压 v
gs
- 0.5, +12 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
175
1.0
w
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
- 65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
备注 -
注意事项
-mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
文件 号码: mrf6s9045
rev. 1, 6/2005
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
880 mhz, 10 w 平均值., 28 v
单独 n-CDMA
横向 n-频道
宽带 rf 电源 mosfets
案例 1265-08, 风格 1
至-270-2
塑料
mrf6s9045nr1(mr1)
MRF6S9045NR1
MRF6S9045NBR1
MRF6S9045MR1
MRF6S9045MBR1
案例 1337-03, 风格 1
至-272-2
塑料
mrf6s9045nbr1(mbr1)
飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2005. 全部 权利 保留.
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