IRF7101_集成电路资料查询网

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IRF7832
HEXFET
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电源 场效应晶体管
备注
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通过
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是 开启 第页 10
好处
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很 低 右
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在 4.5v v
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超-低 闸门 阻抗
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完全 表征 雪崩 电压
和 电流
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20v v
gs
最大值 闸门 评级
应用程序
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同步 场效应晶体管 用于 笔记本
处理器 电源
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同步 整流器 场效应晶体管 用于
隔离 直流-直流 转换器 入点
联网 系统
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= 70°c
电源 耗散
线性 降额 因素 w/°c
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操作 接合点 和 °C
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存储 温度 范围
热 电阻
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www.irf.com 1 1/14/04 IRF7832 HEXFET   电源场效应晶体管备注   通过  是开启第页 10 好处  很低右 ds(开启) 在 4.5v v gs  超-低闸门阻抗  完全表征雪崩电压和电流  20v v gs 最大值闸门评级应用程序  同步场效应晶体管用于笔记本处理器电源  同步整流器场效应晶体管用于隔离直流-直流转换器入点联网系统顶部查看 8 1 2 3 4 5 6 7 d d d dg s 一个 s s 一个所以-8 v DSS 右 ds(开启) 最大值 Qg 30V 4.0m : @V gs = 10v 34nC 绝对最大值 ratings 参数单位 v ds 漏源电压 v v gs 栅极到源极电压我 d @ t 一个 = 25°c 连续排水管电流, v gs @ 10v 我 d @ t 一个 = 70°c 连续排水管电流, v gs @ 10v 一个我 dm 脉冲ed 排水管电流 c p d @T 一个 = 25°c 电源耗散 w p d @T 一个 = 70°c 电源耗散线性降额因素 w/°c t j 操作接合点和 °C t stg 存储温度范围热电阻参数典型值最大值单位右 θ JL 接合点-至-排水管铅 ––– 20 °c/w 右 θ ja junct离子-至-上午bient f ––– 50 -55 至 + 155 2.5 0.02 1.6 最大值 20 16 160 ± 20 30 

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