n-ch p-ch
v
DSS
20V -20v
右
ds(开启)
0.125
Ω
0.20
Ω
我
d
3.0a -2.5a
IRF7106
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1098b
高级 流程 技术
超 低 导通电阻
双 n 和 p 频道 场效应晶体管
表面 安装
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
动态 设计验证/dt 评级
快 开关
描述
第四 世代 hexfets 从 国际 整流器 利用 高级
加工 技术 至 实现 这 最低 可能 导通电阻 按 硅
面积. 这个 效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和 加固 设备
设计 用于 哪个 hexfet 电源 mosfets 是 井 已知, 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制 引线框架 用于 增强型
热 特性 和 多个-模具 能力 制作 它 理想 入点 一个 品种 的
电源 应用程序. 与 这些 改进, 多个 设备 可以 是 已使用 入点 一个
应用程序 与 戏剧性地 减少 板 空间. 这 包装 是 设计 用于
蒸气 相位, infra-红色, 或 波浪 焊接 技术. 电源 耗散 的 更大
比 0.8w 是 可能 入点 一个 典型 pcb 安装 应用程序.
d1
n-ch一个nne?lmosfe?t
p-ch一个nne?lmosfe?t
d1
d2
D2
g1
s2
g2
s1
topv我e?w
8
1
2
3
4
5
6
7
初步
绝对 最大值 额定值
参数
单位
最大值
n通道 p沟道
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 3.0 -2.5
我
d
@ t
c
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 2.5 -2.0 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流 10 -10
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 2.0
线性 降额 因素 0.016
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt 3.0 -3.0 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
w
w/°c
所以-8
热 电阻
参数 最小值 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)** –––– –––– 62.5
°c/w
** 当 已安装 开启 1" 方块字 pcb (右前-4 或 g-10 材料).
用于 推荐 占地面积 和 焊接 技术 参考 至 应用程序 备注 #an-994.
修订 3
69
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