HEXFET
®
电源 场效应晶体管
具体而言 设计 用于 汽车 应用程序, 这些
HEXFET
®
电源 场效应晶体管's 入点 一个 双 所以-8 包装 利用
这 lastest 加工 技术 至 实现 极其 低
导通电阻 按 硅 面积. 附加 特点 的 这些
汽车 合格 hexfet 电源 场效应晶体管's 是 一个 175°c
接合点 操作 温度, 快 开关 速度 和
改进 重复性 雪崩 评级. 这些 好处 联合收割机
至 制造 这个 设计 一个 极其 高效 和 可靠 设备
用于 使用 入点 汽车 应用程序 和 一个 宽 品种 的 其他
应用程序.
这 高效 所以-8 包装 提供 增强型 热
特性 和 双 场效应晶体管 模具 能力 制作 它 理想
入点 一个 品种 的 电源 应用程序. 这个 双, 表面 安装
所以-8 可以 戏剧性地 减少 板 空间 和 是 也 可用
入点 胶带 &放大器; 卷轴.
绝对 最大值 额定值
描述
03/14/02
www.irf.com 1
●
高级 流程 技术
●
双 n通道 场效应晶体管
●
超 低 导通电阻
●
175°c 操作 温度
●
重复性 雪崩 允许 向上 至 tjmax
●
汽车 [q101] 合格
好处
典型 应用程序
●
反-锁 制动 系统 (abs)
●
电子 燃油 注射
●
电源 doors, 窗户 &放大器; seats
汽车 场效应晶体管
pd - 93944c
IRF7103Q
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 (m
Ω)Ω)
Ω)Ω)
Ω)
我
d
50V
130@V
gs
= 10v 3.0a
200@V
gs
= 4.5v 1.5a
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
JL
接合点-至-排水管 铅
–––
20
右
θ
ja
交叉点到环境
–––
50
°
c/w
热 电阻
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 4.5v 3.0
我
d
@ t
c
= 70
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 4.5v 2.5 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
25
p
d
@T
c
= 25
°
c 电源 耗散
2.4 w
线性 降额 因素 16 mw/
°
c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
22 mJ
我
ar
雪崩 电流
请参见 无花果.16c, 16d, 19, 20 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
12 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 175
°
c
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
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所以-8
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