HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1095b
adavanced 流程 技术
超 低 导通电阻
双 n通道 场效应晶体管
表面 安装
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
动态 设计验证/dt 评级
快 开关
描述
第四 世代 hexfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至
实现 这 最低 可能 导通电阻 按 硅
面积. 这个 效益, 合并 与 这 快 开关
速度 和 加固 设备 设计 那 hexfet
电源 mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这
设计师 与 一个 极其 高效 设备 用于 使用 入点
一个 宽 品种 的 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制
引线框架 用于 增强型 热 特性 和
双-模具 能力 制作 它 理想 入点 一个 品种 的 电源
应用程序. 与 这些 改进, 多个
设备 可以 是 已使用 入点 一个 应用程序 与 戏剧性地
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 用于
蒸气 相位, infra 红色, 或 波浪 焊接 技术.
电源 耗散 的 更大 比 0.8w 是 可能 入点
一个 典型 pcb 安装 应用程序.
IRF7103
所以-8
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶部 查看
8
1
2
3
4
5
6
7
v
DSS
= 50v
右
ds(开启)
= 0.130
Ω
我
d
= 3.0a
8/25/97
参数 最小值 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
–––
–––
62.5°c/w
参数 最大值 单位
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 3.0
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 2.3
我
dm
脉冲 排水管 电流
10
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 2.0
线性 降额 因素 0.016 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
4.5 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150
绝对 最大值 额定值
一个
热 电阻 额定值
w
°C
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