HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1239d
世代 v 技术
超 低 导通电阻
双 n通道 场效应晶体管
表面 安装
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
动态 设计验证/dt 评级
快 开关
描述
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现
这 最低 可能 导通电阻 按 硅 面积.
这个 效益, 合并 与 这 快 开关 速度
和 加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 设备 用于 使用 入点 一个 宽
品种 的 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制
引线框架 用于 增强型 热 特性 和
多个-模具 能力 制作 它 理想 入点 一个 品种 的
电源 应用程序. 与 这些 改进,
多个 设备 可以 是 已使用 入点 一个 应用程序 与
戏剧性地 减少 板 空间. 这 包装 是
设计 用于 蒸气 相位, infra 红色, 或 波浪 焊接
技术. 电源 耗散 的 更大 比 0.8w
是 可能 入点 一个 典型 pcb 安装 应用程序.
IRF7303
所以-8
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
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8
1
2
3
4
5
6
7
参数 最大值 单位
我
d
@ t
一个
= 25°c 10 秒. 脉冲 排水管 电流, v
gs
@ 10v 5.3
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 4.9
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 3.9
我
dm
脉冲 排水管 电流
20
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 2.0 w
线性 降额 因素 0.016 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大值 额定值
一个
v
DSS
= 30v
右
ds(开启)
= 0.050
Ω
8/25/97
热 电阻 额定值
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
––– 62.5
°c/w
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