www.irf.com 1
●
一氧化碳-空调组件 hexfet
®
电源 场效应晶体管 和
肖特基 二极管
●
理想 用于 降压 调节器 应用程序
●
n通道 hexfet 电源 场效应晶体管
●
低 v
f
肖特基 整流器
●
世代 5 技术
●
所以-8 占地面积
IRF7353D2
pd- 93809
FETKY
场效应晶体管 / 肖特基 二极管
参数 最大值 单位
右
θ
ja
交叉点到环境
62.5 °c/w
热 电阻 额定值
描述
v
DSS
= 30v
右
ds(开启)
= 0.029
Ω
肖特基 v
f
= 0.52v
这
FETKY
家庭 的 一氧化碳-空调组件 hexfet
®
电源 mosfets 和 肖特基
二极管 优惠 这 设计师 一个 创新, 板 空间 正在保存 解决方案 用于
开关 调节器 和 电源 管理 应用程序. 世代 5
hexfet 电源 mosfets 利用 高级 加工 技术 至
实现 极其 低 导通电阻 按 硅 面积. combinining 这个
技术 与 国际 整流器's 低 前进 掉落 肖特基 整流器
结果 入点 一个 极其 高效 设备 适合 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的
便携式 电子产品 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制 引线框架 用于 增强型
热 特性. 这 所以-8 包装 是 设计 用于 蒸气 相位,
红外线 或 波浪 焊接 技术.
11/8/99
备注:
➀
重复性 评级; 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度 (请参见 图 9)
➁
起动 t
j
= 25°c, l = 10mh, 右
g
= 25
Ω
, 我
作为
= 4.0a
➂
我
sd
≤
4.0a, di/dt
≤
74a/µs, v
dd
≤
v
(br)dss
, t
j
≤
150°C
➃
脉冲 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%
表面 已安装 开启 右前-4 板, t
≤
10sec.
顶部 查看
8
1
2
3
4
5
6
7
一个
一个
s
g
d
d
k
k
参数 最大值 单位
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流
➃
6.5 一个
我
d
@ t
一个
= 70°c 5.2
我
dm
脉冲 排水管 电流
➀
52
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散
➃
2.0 w
p
d
@T
一个
= 70°c 1.3
线性 降额 因素 16 mw/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
➁
-5.0 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
绝对 最大值 额定值
(t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明)
所以-8
7353d2.p65 11/8/99, 3:01 pm1
: 点此下载
