参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 -12 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -7.8
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -6.2 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-39
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散
2.0
p
d
@T
一个
= 70°c 电源 耗散
1.3
线性 降额 因素 16 mw/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 8.0 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
2/5/01
www.irf.com 1
IRF7325
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd- 94094
绝对 最大值 额定值
w
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
JL
接合点-至-排水管 铅 ––– 20
右
θ
ja
交叉点到环境
––– 62.5 °c/w
热 电阻
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 (m
Ω)Ω)
Ω)Ω)
Ω)
我
d
-12v
24@V
gs
= -4.5v
±
7.8a
33@V
gs
= -2.5v
±
6.2a
49@V
gs
= -1.8v
±
3.9a
所以-8
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
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描述
●
海沟 技术
●
超 低 导通电阻
●
双 p沟道 场效应晶体管
●
低 配置文件 (&指示灯;1.8mm)
●
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
新建 p沟道 hexfet
电源 mosfets 从
国际 整流器 利用 高级 加工
技术 至 实现 极其 低 导通电阻
按 硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用
入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制
引线框架 用于 增强型 热 特性 和
多个-模具 能力 制作 它 理想 入点 一个 品种 的
电源 应用程序. 与 这些 改进, 多个
设备 可以 是 已使用 入点 一个 应用程序 与 戏剧性地
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 用于
蒸气 相位, 红外线, 或 波浪 焊接 技术.
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