HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd -91703
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个
效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用
入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制
引线框架 用于 增强型 热 特性 和
多个-模具 能力 制作 它 理想 入点 一个 品种 的
电源 应用程序. 与 这些 改进, 多个
设备 可以 是 已使用 入点 一个 应用程序 与 戏剧性地
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 用于
蒸气 相位, infra 红色, 或 波浪 焊接 技术.
电源 耗散 的 更大 比 0.8w 是 可能 入点
一个 典型 pcb 安装 应用程序.
02/24/99
描述
世代 v 技术
超 低 导通电阻
双 n通道 场效应晶体管
表面 安装
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
动态 设计验证/dt 评级
快 开关
所以-8
v
DSS
= 55v
右
ds(开启)
= 0.050
Ω
IRF7341
www.irf.com 1
参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 55 v
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 4.7
我
d
@ t
c
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 3.8 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
38
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 2.0
p
d
@T
c
= 70°c 电源 耗散 1.3
线性 降额 因素 0.016 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
v
GSM
栅极到源极 电压 单独 脉冲 tp&指示灯;10µs 30 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
72
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
––– 62.5 °c/w
热 电阻
绝对 最大值 额定值
w
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
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