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资料编号:317339
 
资料名称:IRF7465
 
文件大小: 106.61K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=150V, Id=1.9A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com 1
2/8/01
IRF7465
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
参数 最大值 单位
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 1.9
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 1.5 一个
dm
脉冲 排水管 电流
15
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散
2.5 w
线性 降额 因素 0.02 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 30 v
7.8 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 150
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
绝对 最大值 额定值
备注

通过
是 开启 第页 8
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顶部 view
8
1
2
3
4
5
6
7
d
d
d
dg
s
一个
s
s
一个
v
DSS
ds(开启)
最大值
d
150V 0.28
ΩΩ
ΩΩ
@V
gs
= 10v 1.9a
符号 参数 典型值 最大值 单位
θ
JL
接合点-至-排水管 铅
–––
20
θ
ja
交叉点到环境
–––
50
°
c/w
热 电阻
高 频率 直流-直流 转换器
好处
应用程序
低 闸门 至 排水管 费用 至 减少
开关 损失
完全 表征 电容 包括
有效 c
开放源码软件
至 简化 设计 (请参见
应用程序. 备注 an1001)
完全 表征 雪崩 电压
和 电流
pd-93896
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