HEXFET
®
电源 场效应晶体管
2/2/00
IRF7555
绝对 最大值 额定值
www.irf.com 1
热 电阻
参数 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
100 °c/w
参数 最大值 单位
v
ds
漏源 电压 -20 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -4.3
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -3.4 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-34
p
d
@T
一个
= 25°c 最大值 电源 耗散
1.25 w
p
d
@T
一个
= 70°c 最大值 电源 耗散
0.8 w
线性 降额 因素 10 mw/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 12v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
36 mj
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
1.1 v/ns
t
j
, t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
焊接 温度, 用于 10 秒 240 (1.6mm 从 案例)
v
DSS
= -20v
右
ds(开启)
= 0.055
Ω
Micro8
新建 海沟 hexfet
电源 mosfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 加固 设备 设计 那 hexfet
电源 mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽
品种 的 应用程序.
这 新建 micro8
包装 有 一半 这 占地面积 面积 的 这
标准 所以-8. 这个 使 这 micro8 一个 理想 包装 用于
应用程序 在哪里 已打印 电路 板 空间 是 在 一个 保费.
这 低 配置文件 (&指示灯;1.1mm) 的 这 micro8 将 允许 它 至 适合 很容易
进入 极其 薄 应用程序 环境 这样的 作为 便携式
电子产品 和 pcmcia 卡片.
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G1
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G2
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海沟 技术
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超 低 导通电阻
●
双 p沟道 场效应晶体管
●
很 小 soic 包装
●
低 配置文件 (&指示灯;1.1mm)
●
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
描述
pd -91865b
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