HEXFET
®
电源 场效应晶体管
05/14/01
IRF7754
绝对 最大值 额定值
www.irf.com 1
热 电阻
参数 最大值 单位
v
ds
漏源 电压 -12 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -5.5
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -4.5v -4.4 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-22
p
d
@T
一个
= 25°c 最大值 电源 耗散
1W
p
d
@T
一个
= 70°c 最大值 电源 耗散
0.64 w
线性 降额 因素 0.01 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ±8 v
t
j
, t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
pd - 94224
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 我
d
-12v
25m
Ω
@V
gs
= -4.5v
-
5.4a
34m
Ω
@V
gs
= -2.5v
-
4.6a
49m
Ω
@V
gs
= -1.8v
-
3.9a
参数 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
125
°
c/w
tssop-8
描述
超 低 导通电阻
p沟道 场效应晶体管
很 小 soic 包装
低 配置文件 (&指示灯; 1.2mm)
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
HEXFET
®
电源 mosfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现 ex-
tremely 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 加固 设备 设计, 那 国际米兰-
国家 整流器 是 井 已知 用于,
提供 thedesigner
与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于
蓄电池 和 荷载 管理.
这 tssop-8 包装 有 45% 较少 占地面积 面积 比
这 标准 所以-8. 这个 使 这 tssop-8 一个 理想
设备 用于 应用程序 在哪里 已打印 电路 板 空间
是 在 一个 保费. 这 低 配置文件 (&指示灯;1.2mm) 允许 它 至 适合
很容易 进入 极其 薄 环境 这样的 作为 便携式
电子产品 和 pcmcia 卡片.
4 = G1
3 = s1
2 = s1
1 = D1
1
2
3
4
5
6
7
8
5 = G2
6 = s2
7 = s2
8 = D2
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