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irf7809a/irf7811a
参数 符号 IRF7809A IRF7811A 单位
漏源 电压 v
ds
30 28 v
栅极-源极 电压 v
gs
±12
连续 排水管 或 来源 t
一个
= 25°c 我
d
14.5 11.4
电流 (v
gs
≥
4.5v) t
l
= 90°c 14.2 11.2 一个
脉冲 排水管 电流
我
dm
100 100
电源 耗散 t
一个
= 25°c p
d
2.5 w
t
l
= 90°c 2.4
接合点 &放大器; 存储 温度 范围 t
j
,
t
stg
–55 至 150 °C
连续 来源 电流 (车身 二极管) 我
s
2.5 2.5 一个
脉冲 来源 电流
我
sm
50 50
• n通道 特定于应用程序 mosfets
• 理想 用于 cpu 核心 直流-直流 转换器
• 低 传导 损失
• 低 开关 损失
• 最小化 平行 mosfets 用于 高 电流
应用程序
描述
这些 新建 设备 雇佣 高级 hexfet
®
采购订单我们右
场效应晶体管 技术 至 实现 一个 史无前例 余额
的 导通电阻 和 闸门 费用. 这 减少 传导
和 开关 损失 制造 他们 理想 用于 高 效率
直流-直流 转换器 那 电源 这 最新 世代 的
微处理器.
两者都有 这 irf7809a 和 irf7811a 有 被 优化
和 是 100% 已测试 用于 全部 参数 那 是 关键 入点
同步 降压 转换器 包括 右
ds(开启)
, 闸门 费用
和 cdv/dt-诱导 打开 免疫. 这 irf7809a 优惠
particulary 低 右
ds(开启)
和 高 cdv/dt 免疫 用于
同步 场效应晶体管 应用程序. 这 irf7811a 优惠 一个
极其 低 组合 的 q
软件
&放大器; 右
ds(开启)
用于 减少
损失 入点 控制 场效应晶体管 应用程序.
这 包装 是 设计 用于 蒸气 相位, infra-红色,
对流, 或 波浪 焊接 技术. 电源
耗散 的 更大 比 2w 是 可能 入点 一个 典型 pcb
安装 应用程序.
HEXFET
®
芯片组 用于 直流-直流 转换器
IRF7809A IRF7811A
v
ds
30V 28V
右
ds
(开启)
8.5 m
Ω
12 m
Ω
q
g
73 nc 23 nc
q
软件
22.5 nc 7 nc
q
开放源码软件
30 nc 31 nc
绝对 最大值 额定值
参数 最大值 单位
最大值 交叉点到环境
右
θ
ja
50 °c/w
最大值 接合点-至-铅 右
θ
JL
25 °c/w
热 电阻
设备 额定值
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d
d
d
dg
s
一个
s
s
一个
irf7809a/irf7811a
所以-8
01/19/00
暂定 数据表
pd - 93810
pd - 93811
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