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irf7809a/irf7811a
参数 标识 IRF7809A IRF7811A 单位
流-源 电压 V
DS
30 28 V
门-源 电压 V
GS
±12
持续的 流 或者 源 T
一个
= 25°c I
D
14.5 11.4
电流 (v
GS
≥
4.5v) T
L
= 90°c 14.2 11.2 一个
搏动 流 电流
I
DM
100 100
电源 消耗 T
一个
= 25°c P
D
2.5 W
T
L
= 90°c 2.4
接合面 &放大; 存储 温度 范围 T
J
,
T
STG
–55 至 150 °C
持续的 源 电流 (身体 二极管) I
S
2.5 2.5 一个
搏动 源 电流
I
SM
50 50
• n-频道 应用-明确的 mosfets
• 完美的 为 cpu 核心 直流-直流 转换器
• 低 传导 losses
• 低 切换 losses
• 降低 并行的 mosfets 为 高 电流
产品
描述
这些 新 设备 雇用 先进的 hexfet
®
Po我们r
场效应晶体管 技术 至 达到 一个 unprecedented balance
的 在-阻抗 和 门 承担. 这 减少 传导
和 切换 losses 制造 它们 完美的 为 高 效率
直流-直流 转换器 那 电源 这 最新的 一代 的
微处理器.
两个都 这 irf7809a 和 irf7811a 有 被 优化
和 是 100% 测试 为 所有 参数 那 是 核心的 在
同步的 buck 转换器 包含 r
ds(在)
, 门 承担
和 cdv/dt-induced 转变-在 免除. 这 irf7809a 提供
particulary 低 r
ds(在)
和 高 cdv/dt 免除 为
同步的 场效应晶体管 产品. 这 irf7811a 提供 一个
极其 低 结合体 的 q
sw
&放大; r
ds(在)
为 减少
losses 在 控制 场效应晶体管 产品.
这 包装 是 设计 为 vapor 阶段, infra-red,
convection, 或者 波 焊接 技巧. 电源
消耗 的 更好 比 2w 是 可能 在 一个 典型 pcb
挂载 应用.
HEXFET
®
chipset 为 直流-直流 转换器
IRF7809A IRF7811A
V
DS
30V 28V
R
DS
(在)
8.5 m
Ω
12 m
Ω
Q
G
73 nc 23 nc
Q
sw
22.5 nc 7 nc
Q
oss
30 nc 31 nc
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
最大 接合面-至-包围的
R
θ
JA
50 °c/w
最大 接合面-至-含铅的 R
θ
JL
25 °c/w
热的 阻抗
设备 比率
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
DG
S
一个
S
S
一个
irf7809a/irf7811a
所以-8
01/19/00
provisional 数据手册
pd - 93810
pd - 93811
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